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附录二 双层多晶硅 单层机械结构 表面牺牲层工艺的版图层定义和设计规则 草案 为了使表面牺牲层MEMS设计标准化，ICCAD根据进行版图设计规则的自动检查，并更有利于重点实验室的对外开放，我们根据我所的工艺条件及表面牺牲层工艺的特点， 层 用于形成MEMS结构的版图层共有六层，1，ICCAD工具COMPASS和CADENCE中建立。。 1. 用于设计MEMS结构版图的层 层名 掩膜版 阴阳 厚度 对准 功能 GPLT 阳 3000? 机械结构提供电连接和屏蔽层 CNTC 阴 2000? GPLT 检测机械结构与GPLT的接触 BUMP 阴 2000? GPLT 形成放粘附的突起 ANCH 阴 2 m GPLT 形成机械结构与GPLT的接触 BEAM 阳 2 m ANCH 机械结构 INTC 阳 8000? ANCH 形成金属互连线 层描述 1．GPLT 该掩膜版用来定义第一层多晶硅的图形。，。 2.CNTC GPLT上的Si3N4成图，主要用来检测机械层与硅片的接触情况。。 3.BUMP ~2000A ，，。 4.ANCH GPLT，， 5.INTC 形成Al金属互连线。 6.BEAM 用来形成多晶硅机械结构。我们目前工艺中采用2 厚的多晶硅和1.6 厚的牺牲层。 基本结构和设计规则 图1为一个简单的谐振器结构，MEMS结构，并借以说明每层的几何尺寸规定及各层之间的覆盖关系。1.用于描述设计规则的典型表面牺牲层MEMS结构 图2. 图1中各局部的细节描述， m。 表1. BEAM设计规则 局部A 设计规则编号 内容 相关层 尺寸 m BEAM.1 最大两端固定梁长度 800 BEAM.2 最大悬臂梁长度 300 BEAM.3 最小梁间距 2 BEAM.4 最小梁宽度 2 表 2. BEAM设计规则 局部B 设计规则编号 内容 相关层 尺寸 m BEAM.5 腐蚀孔距BEAM边缘或腐蚀孔之间的最大距离 8 BEAM.6 刻蚀孔之间的最小距离 4 BEAM.7 最小腐蚀孔宽度 4 表3. GPLT的设计规则 局部A 设计规则编号 内容 相关层 尺寸 m GPLT.1 最小宽度 5 GPLT.2 最小包含 CNTC 3 表4. CNTC设计规则 局部A 设计规则编号 内容 相关层 尺寸 m CNTC.1 最小宽度 10 CNTC.2 被最小过覆盖 BEAM 6 表5. BUMP设计规则 局部C 设计规则编号 内容 相关层 尺寸 m BUMP.1 最小宽度 3 BUMP.2 最小距离 30 BUMP.3 最小过覆盖 BEAM 2 表6. ANCH设计规则 局部D和E 设计规则编号 内容 相关层 尺寸 m ANCH.1 最小宽度 在BEAM下面 4 ANCH.2 最小被包含 BEAM 3 ANCH.3 最小被包含 GPLT 3 表7. INTC设计规则 局部E 设计规则编号 内容 相关层 尺寸 m INTC.1 最小宽度 12 INTC.2 最小被包含 BEAM 4