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直流稳压电源技术——并联稳压电源 第三章 并联稳压电源 ??? 经整流滤波后输出的直流电压，虽然平滑程度较好，但其稳定性仍比较差。其原因主要有以下几个方面： ??? 1、由于输入电压不稳定（通常交流电网允许有±10％的波动），而导致整流滤波电路输出直流电压不稳定； ??? 2、由于整流滤波电路存在内阻，当负载变化时，引起负载电流发生变化，使输出直流电压发生变化； ??? 3、由于电子元件（特别是导体器件）的参数与温度有关，当环境温度发生变化时，引起电路元件参数发生变化，导致输出电压发生变化； ??? 4、整流滤波后得到的直流电压中仍然会有少量纹波成份，不能直接供给那些对电源质量要求较高的电路。 ??? 所以，经整流滤波后的直流电压必须采取一定的稳压措施才能适合电子设备的需要。常用的直流稳压电路有并联型和串联型稳压电路两种类型。 一、硅稳压管并联稳压电源 1、电路原理分析 ??? 图3－1－1是硅稳压管稳压电源。其中D1是稳压二极管，R1是限流电阻，R2是负载。由于D1与R2是并联，所以称并联稳压电路。此电路必须接在整流滤波电路之后，上端为正下端为负。由于稳压管D1反向导通时两端的电压总保持固定值，所以在一定条件下R2两端的电压值也能够保持稳定。 ??? 下面我们来分析一下具体工作原理： ??? 假设设输入电压为UI，当某种原因导致UI升高时，UD1相应升高，有稳压管的特性可知UD1上升很小都会造成ID1急剧增大，这样流过R1上的IR1电流也增大，R1两端的电压UR1会上升，R1就分担了极大一部分UI升高的值，UD1就可以保持稳定，达到负载上电压UR2 保持稳定的目的。这个过程可用下面的变化关系图表示： ??? UI↑→UD1↑→ID1↑→IR1↑→UR1↑→UD1↓ ??? 相反的，如果UI下降时，可用下面的变化关系图表示： ??? UI↓→UD1↓→ID1↓→IR1↓→UR1↓→UD1↑ ??? 通过前面的分析可以看出，硅稳压管稳压电路中，D1负责控制电路的总电流，R1负责控制电路的输出电压，整个稳压过程由D1和R1共同作用完成。 2、元件选择 ??? 下面我们来看看已知负载电压UR1和负载电流IR1时如何设计硅稳压管稳压电源。 （1）初选稳压管D1 ??? 一般情况下，可以按照UD1＝UR2和ID1≈（IR2）max来初步选定稳压管D1，如果负载有可能开路则应选择（ID1）max≈（2－3）（IR2）max，这是因为当负载时所有电流全部都会流过D1，所以ID1应该适当选择大一点。。 （2）选定输入电压 ??? 一般可选择UI＝（2－3）UR2 （3）选定限流电阻R1 ??? R1＝（UI－UR2）/（ID1＋IR2） ??? 但是需要考虑两种极限情况： ??? 当UI最大，且负载开路时（即IR2＝0），流过D1的电流最大。为了不超过D1的最大允许电流（ID1）max，需要有足够大的电流电阻，否则会烧坏D1。则R1需要满足： ??? R1（（UI）max－UR2）/ ID1）max ??? 当UI最小，且负载电流最大时，流过D1的电流最小。为了保证此时D1能够工作在击穿区起到稳压的作用，要有一定的电流流过D1，一般取5mA－10mA。则R1需要满足： ??? R1（（UI）min－UR2）/（ID1＋（IR2）max） ??? 限流电阻R1的值应该在上面两个公式的范围内选择。 （4）检查电路稳定度 ??? 电路稳定度需要根据实际电路的要求来确定，如果稳定度不够，可以适当增加R1和UI，还可以选择动态电阻r比较小的稳压管。 二、晶体管并联稳压电源 1、电路原理分析 ??? 图3－1－2是晶体管并联稳压电源。其中T1是调整管、D1是基准稳压管，R1是D1的限流电阻，R2是限流电阻，R3是负载。这个稳压电路的输出电压约等于稳压管D1的稳压值（实际上要加上T1发射结电压，一般锗管取0.3V，硅管取0.7V）。这是由于电源在工作时，T1发射结导通，发射极电压与基极电压保持一致，而基极电压被D1稳定在一个固定值。这个电路可以看作T1将D1的稳压作用放大了β倍，相当于接入一个稳压值为D1稳压值，稳压效果为β倍D1稳压效果的稳压管。 ??? 电路工作原理是： ??? UI↑→UD1↑→（UT1）EC↑→（IT1）EC↑→IR2↑→UR2↑→（UT1）EC↓ ??? UI↓→UD1↓→（UT1）EC↓→（IT1）EC↓→IR2↓→UR2↓→（UT1）EC↑ 2、元件选择 ??? 这个电路选择元件的步骤与硅稳压管并联稳压电路类似，主要从下面几个方面考虑。 （1）初选调整管T1和稳压管D1 ??? 选择调整管T1时，主要考虑其额定电流ICM要大于输出电流IO，以保证负载开路时调整管不会因为电流过大而损坏。另外，为了保证调整管有良好的调整作