AECQ200测试条件.docVIP

AEC-Q200試驗條件：說明：AEC-Q200的環境試驗條件，主要是依據MIL-STD-202與JEDEC22A-104規範來制定的，不同零件的試驗溫度除了不一樣之外，其施加電源 電壓、電流、負載 要求也會有所不同，高溫儲存屬於不施加偏壓與負載，但是在高溫工作壽命就需要，溫度循環與溫度衝擊，其試驗目的與手法不一樣，在溫度循環中高低溫變化需控制溫變率，溫衝擊則不用，偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗，而濕度抵抗就是濕冷凍試驗試驗條件注意事項：1000h試驗過程需在250h、500h進行間隔量測高溫儲存 MIL-STD-202-108 ：[適用設備：THS] 薄膜電容、網路低通濾波器、網路電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h電感、變壓器、電阻：125℃/1000h變阻器：150℃/1000h鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：最大額定溫度/1000h　 高溫工作壽命 MIL-STD-202-108 ：[適用設備：THS] ??網路低通濾波器、網路電阻：85℃/1000hEMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h/施加額定IL鉭電容、陶瓷電容：最大額定溫度/1000h/ 2/3 負載/額定電壓 鋁電解電容、電感、變壓器：105℃/1000h薄膜電容：1000h/ 85℃/125%額定電壓、105℃125℃/100%額定電壓 自恢復保險絲：125℃/1000h電阻、熱敏電阻、可變電容：125℃/1000h/額定電壓可變電阻：125℃/1000h/額定功率變阻器：125℃/1000h/額定電壓85％+ma電流陶瓷共鳴器：85℃/1000h/額定VDD+1MΩ，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容石英震盪器：125℃/1000h/額定VDD+1MΩ，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容 溫度循環 JEDEC22A-104 ：[適用設備：TSR、ESS] ?薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：-55℃ 30min ←→85℃ 30min /RAMP 15℃/min /1000cycles鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻： -55℃ 30min ←→125℃ 30min /RAMP 15℃/min /1000cycles鋁電解電容：-40℃ 30min ←→105℃ 30min /RAMP 15℃/min /1000cycles電感、變壓器、變阻器、石英震盪器、自恢復保險絲：-40℃ 30min ←→125℃ 30min /RAMP 15℃/min /1000cycles網路低通濾波器、網路電阻：-55℃ 30min ←→125℃ 30min /RAMP 15℃/min /1000cycles 溫度衝擊 MIL-STD-202-107 ：[適用設備：TC、TSK]自恢復保險絲：-40℃ 15min ←→125℃ 15min /300cycles 偏高濕度 MIL-STD-202-103 ：[適用設備：THS] 鉭電容、陶瓷電容：85℃/85%R.H./1000h/電壓1.3～1.5V電感變壓器：85℃/85%R.H./1000h/不通電鋁電解電容：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓＆電流電阻、熱敏電阻：85℃/85%R.H./1000h/工作電源10%自恢復保險絲：85℃/85%R.H./1000h/額定電流10%可變電容、可變電阻：85℃/85%R.H./1000h/額定功率10%網路低通濾波器網路電阻：85℃/85%R.H./1000h/電壓[網路電容 額定電壓 、網路電阻 10%額定功率 ]變阻器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓85％+ma電流石英震盪器、陶瓷共鳴器：85℃/85%R.H./1000h/額定VDD+1MΩ，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容薄膜電容：40℃/93%R.H./1000h/額定電壓 濕度抵抗 MIL-STD-202-106 ：[適用設備：THS]薄膜電容： 25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle /18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a7b不通電 top