太阳能硅片车间实习总结汇总.ppt

故障处理 第一道: 1.上料台Feed C/V2经常会有承载盒不到位引起的报警，可以分为两种：一种是Magazine 处在Down的位置，只要把盒子推到位就可以了；另一种是Magazine 处在Up 的位置，那时你推盒子是推不动的，因为被卡死了，只要让Magazine 处在Down 位置再把盒子推到位就行了。 2.Wafer transfer 经常会吸住承载盒内的拖盘而报警，原因是盒子上端开口比较大，拖盘挡住了感应器而造成，只要将拖盘放正，把Wafer transfer移到另一个位置就行了，把盒子整一下。 3.Wafer transfer 有吸两片的现象,方法有a .调节风刀的大小和风刀吹风的位置; b .调节四个吸嘴的高低;c .调慢气缸的上升速度;d ,风刀吹风的时间。 4.Alignment 因为硅片碎掉，摄想头定位出现报警而造成的机械手不动作，方法有a .放好片子上重新照点定位就可以;b .如果a 不行，只有甩源关掉，用手将Alignment 推离Standby P1的位置，然后重新启动电源，让Alignment 有一个复位的过程旧可以了。 5.印刷台面有压板的现象，原因有：网板下面胶带粘的太多太厚，员工在装片时没有注意硅片与硅片之间是否有小碎片或灰尘，印刷台面没有调平或是刚带打毛，硅片本身有受过伤或裂痕。 第二道： 1.背电场有铝包或是铝珠：a.印刷太薄，b.绒面过大而且不均匀，c.网版折痕严重 2.背电场造成弯曲的原因:铝背场印刷太厚,影响印刷厚薄有几个参数: 1 丝网间距; 2 刮刀高度; 3 印刷速度; 4 气动压力。四个参数中如果有三个参数不变,那么丝网间距抬高,背电场印厚,刮刀高度越低背电场约厚,印刷速度越快,背电场越厚,但速度超过一定量时,背电场又会变薄,气动压力越小背电场变厚。 3.背电场粘板的问题 原因:a.丝网间距过底,刮刀高度过小,使网板内还留有铝浆,而将硅片粘起; b.真空吸孔堵塞或是真空发生器有问题; c.台免平整速度有问题,使硅片没有平铺在台面上而造成漏真空。 第三道： 1.翻转台面因硅片碎掉使感应器出现报警,解决的方法,点到Flipper控制面板,将Lifter long 和Lefter short 点到down 位置就可以了。 2.栅线印刷虚线多,可以将刮刀高度调上一点,让栅线印粗一点来解决。 印刷不良的原因：a.刮刀高度过高 ，b.丝网间距过大，c.气动压力过小 3.片在印刷台下面走歪,原因是台面下面的真空吸孔堵住了,真空度不够。 4.下料机械不动作,是因为传送过程中硅片走歪,机械手捉取不到位而不动作,只要将机械开,放正硅片就OK了。 5.碎片的主要原因：a.印刷台面高低不平 b.印刷的各个参数不协调 c.钢带有毛边，走歪 d.下料吸嘴不平 ? * Post purge 将温度升到850度，同时通入氧气，消耗掉剩余的POCl3,以防止其分解生成PCL5,从而对硅片表面造成破坏。 Cool down Boat out 将温度降到800度，以及将硅片运出炉管；同时做N2 Purge，维持管内的惰性气体！ 反应温度 反应温度越高，Si，P原子就越活跃，这样P原子就越容易向硅片中扩散，替换硅原子，从而使扩散深度，浓度都会变大！ 气体流量 反应气体流量越大，生成的磷浓度就越大，这样浓度差就越大，扩散深度，浓度都会变大！ 影响因素 硅片结构及掺杂浓度 对于硅片的不同晶向，扩散的难易程度不一样；硅片本身是P型的，这样掺杂浓度也会影响晶体结构，从而影响扩散的难易；晶体本身中的缺陷状况也会影响扩散的难易！ 反应时间 反应时间越长，扩散的浓度越大，深度也越大！ 3-6＃ line机型：Centrotherm 与Tempress相比，机型十分相似：反应原理相同，三氯氧磷（POCl3）液态源扩散；也是4个Tube，5 Zone控温模式！ 1-2＃ line机型：48所 与Tempress相比，机型比较相似：反应原理相同，三氯氧磷（POCl3）液态源扩散；是3个Tube，3 Zone控温模式！ 附：另两种机型简介 PECVD工艺 PECVD原理 工艺原理 设备简介 工艺控制 PECVD原理 PECVD定义 PECVD英文全称为Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，即“等离子增强型化学气相沉积”，是一种化学气相沉积，其它的有HWCVD，LPCVD，MOCVD等。 PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 等离子体定义 等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成