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硬盘磁头技术的发展 磁阻磁头技术MR(Magneto－Resistive Head) MR(MagnetoResistive)磁头，即磁阻磁头技术。MR技术可以更高的实际记录密度、记录数据，从而增加硬盘容量，提高数据吞吐率。目前的MR技术已有几代产品。MAXTOR的钻石三代/四代等均采用了必威体育精装版的MR技术。磁阻磁头的工作原理是基于磁阻效应来工作的，其核心是一小片金属材料,其电阻随磁场变化而变化,虽然其变化率不足2%,但因为磁阻元件连着一个非常灵敏的放大器,所以可测出该微小的电阻变化。MR技术可使硬盘容量提高 40%以上。GMR（GiantMagnetoresistive）巨磁阻磁头GMR磁头与MR磁头一样，是利用特殊材料的电阻值随磁场变化的原理来读取盘片上的数据，但是GMR磁头使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构，比MR磁头更为敏感，相同的磁场变化能引起更大的电阻值变化，从而可以实现更高的存储密度，现有的MR磁头能够达到的盘片密度为3Gbit－5Gbit/in2（千兆位每平方英寸），而GMR磁头可以达到10Gbit－ 40Gbit/in2以上。目前GMR磁头已经处于成熟推广期，在今后的数年中，它将会逐步取代MR磁头，成为最流行的磁头技术。 1956年9月：第一块硬盘诞生 50个直径为24英寸的磁盘，这些盘片表面涂有一层磁性物质，并且堆叠在一起 ，每平方英寸的数据密度只有2000bit，数据处理能力为1.1KB/s 1968年：“温彻斯特”技术横空出世 密封、固定并高速旋转的镀磁盘片，磁头沿盘片径向移动，磁头悬浮在高速转动的盘片上方，而不与盘片直接接触，首次使用了封闭的内部环境。 1973年：第一块“温彻期特”硬盘诞生 1979年：IBM发明薄膜磁头，20MB/平方英寸，容量5M 80年代末期：IBM发明了MR磁头，200MB/平方英寸 1991年：IBM生产3.5英寸的硬盘，硬盘的容量首次达到了1GB 1994年代后期：GMR（GiantMagnetoresistive）磁头技术问世 ，10Gbit-40Gbit/in2 ，是目前最流行的磁头技术 。 TMR （tunneling magnetoresisitive）磁头技术，该技术是由TDK公司采用TMR薄膜试制成功的，并制造出了硬盘设备。据悉，该 TMR磁头的再生输出以及面密度均与GMR磁头相同 垂直记录技术（Perpendicular Magnetic Recording） 一直以来，硬盘都是采用纵向记录（Longitudinal Recording）技术， 446M@1981（富士通制造的10.5寸硬盘，3600转，446MB的容量，81年的产品） 400M@1982（NEC制造的8寸硬盘，3000转，400MB的容量，82年出品） 2.7G@1983（NEC制造的14寸硬盘DKU800，3620转，2.7GB的容量） 2.8G@1992（富士通的8寸硬盘，3600转，2.8GB的容量，92年出品） 2.5寸60G@2002.4 * * 20M@1979 * *
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