FIB操作.doc

Helios NanoLab操作规章 一 样品要求 样品类型：非磁性块体和粉末材料。 样品卫生：保证样品表面清洁，更换样品要戴橡胶手套。 样品尺寸及重量：长*宽100*100mm，高20mm，重量500g。 形状不规则样品（样品表面起伏较大，大于3mm）、有机样品需要老师批准。不导电样品需要用导电胶固定或者其他方法提高成像效果。磁性材料（特别是磁性粉末材料做）不能做。 二 样品粘接 1 根据样品制备的需求，确定粘接时样品台的高度。 如果只放一个样品进去，只需要确定样品不超过4mm的标准线即可，如果同时放入若干样品，要求这些样品的高度基本一致，且不超过4mm标准线。样品台高度选择根据此标准进行。 2 二 更换样品 1. 确定电镜状态正常（电子枪高压、离子枪高压、气体注入系统收起并冷却、easylift探针收起）。 2. 给样品室放气（vent），小心打开舱门。 3. 将样品托放到样品台相应位置内，拧紧螺丝固定好样品托。(样品托没有固定好，在旋转、倾转样品台时样品会移动。)。 4. 在关样品室舱门时，要观察用户界面CCD图像，以确定样品不会与电子枪、离子枪发生碰撞。 5. 抽上样品室真空(Pump)，在抽真空的起始阶段应当用手轻轻压住样品室的舱门。 三 如何移动样品台 1 如何理解样品台的运动坐标系 2 如何给样品台定位 3移动样品的一般方法。 双击 拖动 输入坐标 划线确定方向 操纵杆 三 FIB、GIS、Easylift操作前的状态调整 待真空系统图标全部变为绿色后打开电子束与离子束的Beam on，启动电子束与离子束。电子束一般状态为：2kv，0.34na；离子束状态一般为：30kv,40pa。 粗略调整样品高度(将高度调到eucentric position附近) 在样品托最高处较小放大倍数和较大放大倍数下分别聚焦一次； 做Link WD to Z.(必做)； 将样品台上升到距离电子枪4mm处(即工作距离为4mm)，在较小和较大倍数下聚焦、并调整象散； 再次Link (必做)。 将样品台上升到距离电子枪4mm处(即工作距离为4mm)。 细调样品高度(将高度确定到eucentric position，这样做的原因要解释一下。) 找到一个特征点或者特征边，将其移动到屏幕中心，倾转样品台到52°，调整Z轴(此时不可进行双击屏幕移动或其他使样品在X和Y轴方向上发生位移的操作)使特征点/边重新移动到屏幕中心。如果在倾转过程中特征点移动幅度较大，可以重新逐步（每次10°）倾转并调整Z轴。或者缩小放大倍数，不让特征点跑出视野； 倾斜样品台到0°，在不同放大倍数下重复第6步2到3次，直到在较大放大倍数下倾转样品台时，特征点相对屏幕中心的移动很小(若干微米即可)。 同步放大倍数，同步电子束、离子束扫描区域(确保在切割或沉积时能同步用电子束观察样品，确保大块样品切割或沉积时可以在电子束下移动而不会损伤样品，确保校准探针准确、安全) 在电子束界面或者离子束界面中点击couple magnification,同步电子束和离子束的放大倍数； 在电子束图像下双击移动样品台，使特征点移动到屏幕中心，在离子束画面中利用Beam Shift使同一特征点移动到屏幕中心(若Beam Shift无法满足请重新仔细进行第6、7步)； 保持样品台倾转52°以备聚焦离子束刻蚀或沉积。 PS: ①特征点或者特征边最好在待加工区域附件选择，以保证eucentric position高度的准确性。 四 GIS气体沉积 （确定做过Link、调整过高度、做过视场同步，确定样品台已经倾转52°，确认样品表面的起伏不大，可以进针） 右键点击Pt，选择加热(再次选择为停止加热)，等待Pt源加热完毕后进针； 如果需要用电子束沉积Pt材料，在电子束像下于需要沉积处做出所要的图形，设定图形参数，选择材料文件为Pt surface dep或者Pt structure dep。打开电子束即可开始沉积。条件一般为：2kv,2na。 如果需要用离子束沉积 Pt 材料，在离子束像下于需要沉积处做出所要的图形，设定图形参数，选择材料文件为Pt dep，条件一般为：30kv,10-20pa/um2。打开离子束即可开始沉积，沉积过程中可以用ISPI进行同步观察(时间间隔不宜太小)。 沉积结束，如果达到所需效果，即可退出Pt针,停止Pt源加热。 PS:电子束沉积对样品无伤害，但是沉积速度较慢。如果样品对离子束较为敏感，可以在用离子束沉积前，用电子束先沉积一层Pt，对样品进行保护。 在验收标准里面对Pt针在离子像下离图像中心和样品高度做出了规定，但是没有对电子像作出规定。Pt针离电子像中心的远近对电子束沉积的速度有没有影响？？这个应该做实验来验证一