国家标准《硅片和硅锭载流子复合寿命的无接触微波反射光电.docVIP

国家标准《硅片和硅锭载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测量方法》 （预审稿）编制说明 工作简况 标准简况： 载流子复合寿命是半导体材料中一个重要参数。因为其与晶体中的缺陷和沾污的强相关性，采用载流子寿命测试，可以用来监控生产过程中的沾污水平，并研究造成半导体器件性能下降的原因。微波光电导衰减测试方法是众多载流子复合测试方法中的其中一种，其主要测试原理是激光注入产生电子-空穴对，导致样品电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反映少数载流子的衰减趋势，利用微波信号的变化量与电导率的变化量成正比的原理，通过监测微波反射信号来探测电导率随时间变化的趋势，从而得到少数载流子的寿命。因为本方法是无接触的，对样片表面处理简单，尤其是太阳能产品，并且测试数据重复性好，被广泛应用，也是器件厂家衡量硅片产品质量的一个很重要依据。对该标准的修订，有利于进一步规范和指导其测试过程。 2.任务来源 根据国标委综合[2014]89号文件《关于下达2014年第二批国家标准修制定计划的通知》，由有研半导体材料有限公司主要负责的国家标准《硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测量方法》的修订工作。 3.项目承担单位概况 有研半导体材料有限公司，原名有研半导体材料股份有限公司。是由北京有色金属研究总院（简称“有研总院”）作为独家发起人设立的股份有限公司，成立于1999年3月，并在上海证券交易所挂牌上市（股票简称“有研硅股”），主营半导体材料。2014年3月，有研总院决定将主营业务扩展为半导体材料、稀土材料、高纯/超高纯金属材料以、光电材料的研发、生产和销售，因此更名为有研新材料股份有限公司。2014年11月，根据有研总院的决定，硅材料板块的全部资产和业务从有研新材料股份有限公司中剥离到有研总院控股的有研半导体材料有限公司，继续继续硅材料的生产、研发和销售，至此更名为：有研半导体材料有限公司。 该公司的前身是有研总院下属的硅材料研究室，建国以来，一直致力于硅材料的研发、生产，并承担了“九五”、“十五”“十一五”期间国家硅材料领域多项重大攻关任务和产业化工程，并支撑和带动了国内相关配套产业和技术发展。现已形成具有一系列具有自主知识产权的技术体系和产品品牌，目前主要生产5-8英寸硅单晶及抛光片，并一直开展12英寸抛光片的研发和生产。产品可用于集成电路、分立器件、太阳能等多个领域，远销美国、日本、西班牙、韩国、台湾、香港等地，在国内外市场具有较高的知名度和影响力。 4.主要工作过程 本项目在下达计划后，我们组织了专门的标准编制小组，进行了微波反射光电导设备、用户要求、相关标准应用的方面的调研和收集；在对SEMI MF1535-1015《电子级硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测量方法》和SEMI PV9-0611 《光伏硅材料过剩载流子衰减的无接触微波反射测试方法》充分理解的基础上，结合多年来国内外用户要求和生产实践，编写了本标准草案。 5.标准主要修订人及修订工作 曹孜 教授级高工 标准的主要修订 孙燕 高工 协助标准的修订、审核，组织标准修订的各方面工作 赵而敬 工程师 协助标准的修订。 王昕，高英，楼春兰，邓浩等同志在讨论稿的起草和完善过程中提出了特别中肯的建议。 标准编制原则和确定标准主要内容的论据 编制原则 本标准起草单位自接受修订任务后，成立了标准编制组负责收集相关参考标准、市场需求及客户要求等信息，初步确定了该标准修订所遵循的基本原则和编制依据： 1）查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求； 2）按照GB/T 1.1和有色加工产品标准和国家标准编写示例的要求进行格式和结构编写。 3）参照SEMI MF1535-1015《电子级硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测量方法》和SEMI PV9-0611 《光伏硅材料过剩载流子衰减的无接触微波反射测试方法》的内容。 标准水平分析 本标准《硅片和硅锭载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测量方法》建议为国际一般水平。 通过文献检索和网上查询，参考的国内外关于相关的标准主要有以下几个： SEMI MF1535-1015《电子级硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测量方法》 SEMI PV9-0611《光伏级硅材料过剩载流子在短光照脉冲后衰减的无接触微波反射光电导衰减测量方法》 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法 YS/T 679 非本征半导体少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 四、与我国有关的现行法律、法规和相关强制性标准的关系 《硅片和硅锭载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测量方法》与国家现行法