关于曹逊电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元专利的公.docVIP

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2016-11-27 发布于天津
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关于曹逊电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元专利的公.doc

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关于曹逊电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元专利的公

关于曹逊“电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元”专利的公示根据上海有关部门2010年非上海生源毕业生申请进沪材料，“毕业生在本人最高学历学习期间获得或申请专利的，须提交专利证书复印件或专利申请受理证明（验原件），并须提供经校级就业主管部门在本校网站上公示无异议的书面证明材料原件”之规定，现将曹逊同学的专利情况公示如下：　　中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利“电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元”发明人之一为我所2010年毕业生曹逊，学号200718004022020。专利材料见附件。　　　　公示时间：2010年4月12日至2010年4月18日　　公示期间，如有异议者请与上海硅酸盐研究所研究生部联系。　　联系电话　　联系人：赵雪盈二〇一〇年四月十二日附件1：附件2：