TS12a4515DR_中文资料.doc

TS12a4515 特性 2 V至12 V单电源供电，额定导通电阻12v供电时最大为15欧，5v供电时最大20欧，3.3v供电时为最大50欧。指定的低关断漏电流： 25℃ 时为1nA，85℃时为10nA。指定的低导通漏电流：25℃ 时为1nA，85℃时为10nA。低电荷注入：11.5 PC（12 V电源） 开关速度快：tON= 80 ns, tOFF= 50 ns (12V电源) ，TTL / CMOS逻辑兼容5 V电源。 描述 该TS12A4514/ TS12A4515是单极/单掷（SPST），低电压，单电源CMOS模拟开关，具有极低的开关导通电阻。该TS12A4514是常开（NO）。该TS12A4515是常闭（NC），这些CMOS开关可以在2 V至12 V连续变换，每个开关可以处理轨到轨模拟信号。关断泄漏电流最大25°C下仅为1 nA或在85℃下10 nA。所有数字输入0.8 V至2.4 V逻辑阈值，确保TTL / CMOS逻辑兼容采用5 V电源时。 引脚配置 绝对最小和最大额定值（1） 电压参考到GND 电源电压范围，模拟电压范围，连续电流的终端，峰值电流，没有或COM（1 ms脉冲，10％占空比）每个方法3015.7防静电，连续功耗（TA=70℃），工作温度范围，存储温度范围。 焊接温度（焊接，10秒） 超出“绝对最大额定值”列出的强调值可能会造成永久性损坏设备。这些只是压力额定值，但超过或处于上述额定值，就可能影响芯片的可靠性。 所有电压都是相对于地，除非另外指明 电压超过V +或GND任何信号端子通过内部二极管钳位。极限正向二极管电流最大电流额定值 电源为5V时的电气特性 下述条件V +=4.5 V至5.5 V，VINH=2.4 V，VINL=0.8 V，TA = -40°C至85°C（除非另有说明） 模拟开关： 模拟信号范围：Vcom，Vno，Vcn 0v 导通电阻：在V+=4.5v，Vcom=3.5v，Icom=1mA 导通电阻稳定度：在Vcom=1V，2V，3V， Icom=1mA NO，NC 关断泄漏电流：在V+=5.5v，Vcom=1v， Vno或Vnc=4.5v COM 关断泄漏电流：在V+=5.5v，Vcom=1v， Vno或Vnc=4.5v COM在 使能泄漏电流：在V+=5.5v，Vcom=4.5v， Vno或Vnc=4.5v 数字控制输入（IN）： 输入逻辑高电平：2.4V至V+ 输入逻辑低电平：0V至0.8V 输入漏电流：在输入为V+，0V时为0.01uA 动态： 开启时间：见图二， 关闭时间：见图二， 电荷注入：CL=1 NF，Vno=0 V，R=0Ω，见图1 NO，NC 关断电容：F =1MHz时，见图4 COM 关断电容：F =1MHz时，见图4 COM 关断电容：F =1MHz时，见图4 数字输入电容：在输入为V+，0V时为0.01uA 带宽： 关断隔离： 总谐波失真： V+电源电流： 泄漏参数100％测试在最大额定热的工作温度，并且由相关性确保在25℃ 电源为12V时的电气特性 下述条件V +=11.4 V至12.6V，VINH=5 V，VINL=0.8 V，TA = -40°C至85°C（除非另有说明） 模拟开关： 模拟信号范围：Vcom，Vno，Vcn 0v 导通电阻：在V+=11.4v，Vcom=10v，Icom=1mA 导通电阻稳定度：在V+=11.4V，Vcom= 2V，5V，10V Icom=1mA NO，NC 关断泄漏电流：在V+=12.6v，Vcom=1v， Vno或Vnc=10v COM 关断泄漏电流：在V+=12.6v，Vcom=1v， Vno或Vnc=10v COM在 使能泄漏电流：在V+=12.6v，Vcom=10v， Vno或Vnc=10v 数字控制输入（IN）： 输入逻辑高电平：5V至V+ 输入逻辑低电平：0V至0.8V 输入漏电流：在输入为V+，0V时为0.001uA 动态： 开启时间：见图二， 关闭时间：见图二， 电荷注入：CL=1 NF，Vno=0 V，R=0Ω，见图1 NO，NC 关断电容：F =1MHz时，见图4 COM 关断电容：F =1MHz时，见图4 COM 关断电容：F =