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模拟、数字电子电路 样题单选题
1:为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( 2 分)A:共基放大电路B:共集放大电路C:共射放大电路D:共漏放大电路答案:A
2:PN结加正向电压时,空间电荷区将:( 2 分)A:变窄B:基本不变C:变宽D:变化很大答案:A
3:在纯净的硅晶体中掺入五价元素使之取代晶格中硅原子的位置,形成了:( 2 分)A:空穴B:自由电子C:N型半导体D:P型半导体答案:C
4:N位2进制计数器的最大计数范围是( 2 分)A:2NB:2的N次方C:2的N次方减1D:N答案:C
5:如下图所示,假设一个14管脚的芯片,管脚排列顺序应该是( 2 分)A:a\b\c\dB:a\c\b\dC:a\d\c\bD:b\c\d\a答案:C
6:选用差动放大电路的原因是:( 2 分)A:克服温漂B:提高输入电阻C:稳定放大倍数D:提高电压放大倍数答案:A
7:下图四环电阻的阻值应该是( 2 分)A:240ΩB:24ΩC:24KΩD:2.4KΩ答案:B
8:若由PNP型管组成的共射电路中,输出电压波形如图所示,电路产生了什么失真?( 2 分)A:顶部B:底部C:截止D:饱和答案:C
9:当晶体管工作在放大区,发射结电压和集电结电压应为( )( 2 分)A:前者反偏、后者也反偏B:前者正偏、后者反偏C:前者正偏、后者也正偏D:前者反偏、后者正偏答案:B
10:如若要求集成运放作宽频带放大器,那么集成运放的应选用什么型的?( 2 分)A:高阻型B:高速型C:通用型D:高精度型答案:B
11:下列哪项是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管?( 2 分)A:场效应管B:半导体三极管C:单结晶体管D:半导体二极管答案:A
12:下列哪个是数据选择器( 2 分)A:74LS112B:74LS20C:74LS153D:74LS283答案:C
13:当温度升高时,二极管的反向饱和电流将:( 2 分)A:增大B:不变C:减小D:改变答案:A
14:当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为:( 2 分)A:前者反偏,后者也反偏B:前者反偏,后者正偏C:前者正偏,后者也正偏D:前者正偏,后者反偏答案:D
15:如下图所示,此电路为( 3 分)A:对称式多谐振荡器B:非对称式多谐振荡器C:单稳态触发器D:都不是答案:B
16:下列哪项具有单向导电特性?( 3 分)A:N型半导体B:PN结C:P型半导体D:半导体答案:B
17:石英晶体振荡器的振荡频率取决于( 3 分)A:石英晶体固有频率B:外接电阻的大小C:外接电容的大小D:以上都是答案:A
18:当三线—八线译码器的三个控制端S1、S2、S3为何值时,译码器处于工作状态( 3 分)A:S1=1,S2=S3=0B:S1=S2=1,S3=0C:S1=S3=0,S2=1D:S1=0,S2=S3=1答案:A
19:整流的目的是:( 3 分)A:将交流变直流B:将高频变低频C:将正弦波变方波D:将低频变高频答案:A
20:如下图所示,则芯片的第一管脚应该在( 3 分)A:a点B:b点C:c点D:d点答案:A
21:下列选项中哪项是构成电子电路的基本元件,它们所用的材料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料?( 3 分)A:半导体器件B:本征半导体C:载流子D:杂质半导体答案:A
22:若由PNP型管组成的共射电路中,输出电压波形如图所示,电路产生了:( 3 分)A:顶部失真B:底部失真C:截止失真D:饱和失真答案:D
23:已知函数式?,此函数式为( 3 分)A:与非式B:或非式C:与或非式D:与或式答案:D
24:如若要求集成运放作输出电压幅值为±80V的放大器,那么集成运放的应选用:( 3 分)A:高压型B:高速型C:通用型D:高精度型答案:A
25:已知真值表如下:则,Y =( 3 分)A:Y=A+BB:Y=A?BC:D:答案:C
多选题
26:AD转换过程会用到下列哪个步骤( 2 分)A:采样B:保持C:量化D:编码答案:ABCD
27:关于函数最小项描述正确的是( 2 分)A:在输入变量任何值下必有且仅有一个最小项的值等于1B:全体最小项之和等于1C:任意两个最小项之乘积等于0D:N
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