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* * * 电子衍射及衍射花样标定 主要内容 2.电子显微镜中的电子衍射 3.多晶体电子衍射花样 1.电子衍射的原理 4.单晶电子衍射花样标定 5.复杂电子衍射花样 电子衍射花样特征 电子束照射 单晶体: 一般为斑点花样; 多晶体: 同心圆环状花样; 织构样品:弧状花样; 无定形试样(准晶、非晶):弥散环。 1.电子衍射的原理 1)斑点花样:平行入射束与单晶作用产生斑点状 花样;主要用于确定第二象、孪晶、有序化、调幅结构、取向关系、成象衍射条件; 2)菊池线花样:平行入射束经单晶非弹性散射失去很少能量,随之又遭到弹性散射而产生线状花样;主要用于衬度分析、结构分析、相变分析以及晶体的精确取向、布拉格位置偏移矢量、电子波长的测定等; 3)会聚束花样:会聚束与单晶作用产生盘、线状花样;可以用来确定晶体试样的厚度、强度分布、取向、点群、空间群以及晶体缺陷等。 1.电子衍射的原理 衍射花样的分类 2q 试样 入射束 厄瓦尔德球 倒易点阵 底板 电子衍射花样形成示意图 1.电子衍射的原理 Bragg定律: 2d sinθ=λ d = 晶面间距 λ =电子波长 θ = Bragg 衍射角 衍射花样投影距离: 当θ很小 tan2θ≈2θ sinθ≈θ rd=Lλ=常数 r O G’’ ? ? ? G’ L d 1.电子衍射的原理 衍射花样与晶体的几何关系 利用金膜测定相机常数 由里至外测量R,找到对应的d,根据Rd= Lλ 测得 200KV得到金环,由内到外直径2R依次为:17.46mm,20.06mm,28.64mm,33.48mm;对应指数(111),(200),(220),(311); 对应面间距d分别为0.2355nm,0.2039nm,0.1442nm,0.1230nm K=Rd 2.电子显微镜中的电子衍射 相机常数测定 选区衍射就是在样品上选择一个感兴趣的区域,并限制其大小,得到该微区电子衍射图的方法。也称微区衍射。两种方法: 光阑选区衍射(Le Pool方式)----用位于物镜象平面上的选区光阑限制微区大小。先在明场象上找到感兴趣的微区,将其移到荧光屏中心,再用选区光阑套住微区而将其余部分挡掉。理论上,这种选区的极限?0.5?m。 微束选区衍射 ----用微细的入射束直接在样品上选择感兴趣部位获得该微区衍射像。电子束可聚焦很细,所选微区可小于0.5?m 。可用于研究微小析出相和单个晶体缺陷等。目前已发展成为微束衍射技术。 选区电子衍射 2.电子显微镜中的电子衍射 花样分析分为两类: 一是结构已知,确定晶体缺陷及有关数据或相关过程中的取向关系; 二是结构未知,利用它鉴定物相。指数标定是基础。 电子衍射花样 2.电子显微镜中的电子衍射 花样 与X射线衍射法所得花样的几何特征相似,由一系列不同半径的同心圆环组成,是由辐照区内大量取向杂乱无章的细小晶体颗粒产生,d值相同的同一(hkl)晶面族所产生的衍射束,构成以入射束为轴,2θ为半顶角的园锥面,它与照相底板的交线即为半径为R=Lλ/d=K/d的圆环。 R和1/d存在简单的正比关系 对立方晶系:1/d2=(h2+k2+l2)/a2=N/a2 通过R2比值确定环指数和点阵类型。 3.多晶体电子衍射花样 A)晶体结构已知:测R、算R2、分析R2比值的递增规 律,定N,求(hkl)和a 。 如已知K,也可由d=K/R求d对照ASTM求(hkl)。 B)晶体结构未知:测R、算R2、R22/R12,找出最接近的整数比规律、根据消光规律确定晶体结构类型、写出衍射环指数(hkl),算a。 如已知K,也可由d=K/R求d对照ASTM求(hkl)和a,确定样品物相。 已知晶体结构,标定相机常数,一般用Au, FCC, a=0.407nm,也可用内标。 物相鉴定:大量弥散的萃取复型粒子或其它粉末粒子。 3.多晶体电子衍射花样 分析方法 主要用途 基本任务 确定花样中斑点的指数及其晶带轴方向[uvw]; 确定样品的点阵类型、物相和位向。 一般分析任务可分为两大类: 测定新结构,这种结构的参数是完全未知的,在ASTM卡片中和其它文献中都找不到; 鉴定旧结构,这种结构的参数前人已作过测定,要求在这些已知结构中找出符合的结构来。 4.单晶电子衍射花样标定 单晶花样分析的任务 主要方法有: 尝试-校核法 标准花样对照法 标定步骤: 1)选择靠近中心且不在一直线上 的几个斑点,测量它们的R值; 2)利用R2比值的递增规律确定点阵类型和这几个斑点所属的晶面族指数{hkl}。 如果已知样品和相机常数,可分别计算产生这几个斑点的晶面间距(R=K/d),并与标准d值比
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