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05快速热处理技术
第五章:快速热处理技术Rapid Thermal Processing 5.1.器件工艺对热退火的要求减小再分布 目的: 注入离子的电激活 氧化层缺陷和界面态的消除 消除缺陷和应力 金属化(金属硅化反应) 玻璃介质(磷、硼硅玻璃)的熔流 覆盖层的固化 表面的平坦化 上述的热处理,多数属于后工序。因而,低温、短时退火被要求。为什么? 5.2.快速热退火(RTA) 机理 系统:光照加热 要求:升降温速度快,升降温均匀 温度测量: 热电偶:原理与缺点 塞贝克效应:原理,特点? 光谱:原理 声波:原理, 工艺特点: *再分布小 *低污染 *可以实现快速多温段退火 6.4 . 塑性应变问题:Fig6.10 6.5. 杂质的激活 短时间获得激活动能,但是无时间建立新的热平衡。 *超固溶度 *瞬时增强扩散 Reading material 6.6. 介质加工和硅化物的形成 *介质/半导体界面态的退火 *超薄介质的形成 *金属硅化物的再加工 * *
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