ARM体系结构全解.ppt

* * S3C2410在包含ARM920T内核的同时，提供了丰富的片内外围资源，如图2.14所示。主要片内外围模块有： ●1个LCD控制器（支持4K色STN和256K色TFT带有触摸屏的液晶显示器）； ● SDRAM控制器； ● 3个通道的UART（IrDA1.0，16字节TxFIFO，16字节RxFIFO）； ● 4个通道的DMA； ● 4个具有脉冲带宽调制PWM（Pulse Width Modulation）功能的计时器和1个内部时钟； ● 8个通道的10位ADC； ●触摸屏接口； ●集成电路互联IIC（Inter Integrated Circuit）总线接口； ● 1个USB主机接口，1个USB设备接口； ● 2个串行外围设备SPI（Serial Peripheral Interface）接口； ● SD接口和多媒体卡MMC（MultiMedia Card）接口； ● 117位通用I/O口和24通道外部中断源。 * 2.4.2 S3C2410引脚信号 1．S3C2410芯片封装 图2.15 S3C2410引脚排列底视图 * S3C2410采用272 脚FBGA（Flipchip Ball Gate Array )封装形式，引脚排列底视图见图2.15所示。2410引脚信号主要有总线控制信号、各类器件及外设接口信号以及电源时钟控制信号等，并且很多引脚都是复用的。关于引脚名称，以引脚号A1为例（图中左下角），A1引脚序号所对应的引脚名称是DATA19，即数据总线的第19位；由于2410芯片引脚众多，限于篇幅，其他各引脚名称不再详述，相关内容可查阅教材附录1（或S3C2410芯片手册）。 * 2．S3C2410引脚信号介绍 S3C2410引脚信号可分成地址总线、数据总线、各种接口控制信号和电源等。为叙述方便，输入/输出类型用“I/O”表示，模拟输入/输出类型用“AI/AO”表示，施密特触发用ST表示，电源用“P”表示。 （1）总线控制类信号 ●OM[1:0] (I)：启动方式选择。00-处理器从Nand Flash启动；01-处理器从16位宽度的ROM启动；10-处理器从32位宽度的ROM启动；11-处理器为测试模式。 ● ADDR[26:0] (O)：地址总线。输出对应存储器组的地址。 ● DATA[31:0] (I/O)：数据总线。总线宽度可编程为8位、16位或32位。 ● nGCS[7:0] (O)：通用片选信号。控制存储器各组的访问。 ● nWE (O)：写使能。当前总线周期处于写周期时有效。 ● nOE (O)：输出使能。当前总线周期处于读周期时有效。 ● nXBREQ (I)：总线保持请求。允许其他总线主控端请求本地总线的控制。 ● nXBACK (O)：总线保持应答。有效时表示S3C2410已允许其他总线主控端控制本地总线。 ● nWAIT (I)：等待信号。用来请求延长当前总线周期，低电平表示当前总线周期没有结束；若设计系统时未使用nWAIT信号，则nWAIT接上拉电阻。 * （2）SDRAM/SRAM接口信号 ●nSRAS (O)：SDRRAM行地址选通信号。 ● nSCAS (O)：SDRRAM列地址选通信号。 ● nSCS [1:0] (O)：SDRRAM片选信号。 ● DQM [3:0] (O)：SDRRAM数据屏蔽/掩码信号。 ● SCLK [1:0] (O)：SDRRAM时钟信号。 ● SCKE(O)：SDRRAM时钟使能。 ● nBE [3:0] (O)：高字节/低字节使能（在16位SRAM中使用）。 ● nWBE [3:0] (O)：写字节使能。 * （3）NAND Flash接口信号 ●CLE (O)：命令锁存使能。 ● ALE (O)：地址锁存使能。 ● nFCE (O)：NAND Flash芯片使能。 ● nFRE (O)：NAND Flash读使能。 ● nFWE (O)：NAND Flash写使能。 ● NCON (I)：NAND Flash配置。若不用NAND Flash控制器，则该引脚接上拉电阻。 ● R/nB (I)：NAND Flash准备好/忙信号。若不用NAND Flash控制器，则该引脚接上拉电阻。 * （4）通用I/O端口信号 ●GPn [116:0] (I/O)：通用输入/输出端口（注：某些端口只能用于输出） （5）中断接口信号 ● EINT [23:0] (I) ：外部中断请求。 （6）DMA接口信号 ● nXDREQ [1:0] (I)：外部DMA请求。 ● nXDACK [1:0] (O)：外部DMA应答。 （7）定时器接口信号 ● TOUT [3:0] (O)：定时器输出。 ● TC