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3 STM32F10x简介 3.1 STM32系列微控制器 3.1 STM32系列微控制器 ST意法半导体公司产品 ARM Cortex-M3内核 32位微控制器 高性能、低成本、低功耗、嵌入式应用 STM32F100：超值型 STM32F101：基本型（标准型） 入门产品；工作在36MHz；16位MCU的价格，32位的性能 STM32F102：USB基本型 STM32F103：增强型 同类产品性能最高；时钟72MHz；16K-512K闪存 带有更多片内SRAM 和 更丰富的外设 STM32F105或107：互联型 STM32L：超低功耗型 STM32F103xx中小容量型各系列外设资源 3.1 STM32系列微控制器 STM32 F 103 C 8 T 6 A 3 STM32F10x简介 3.2 STM32F10x内部结构 基本型与增强型配置的差异 ARM Cortex-M3模块结构 3.2 STM32F10x内部结构 3.2 STM32F10x内部结构 四个主动单元 M3内核的ICode总线(I-bus)、DCode总线(D-bus)、 系统总线(S-bus)、DMA(DMA1、DMA2、以太网DMA) 四个被动单元 内部SRAM、内部闪存、FSMC、AHB到APB桥 ICode总线 将M3内核的指令总线与FLASH指令接口相连，用于指令预取 DCode总线 将M3内核的数据总线与FLASH数据接口相连，常量加载和调试 3.2 STM32F10x内部结构 系统总线 将M3内核的系统总线与总线矩阵相连，协调内核与DMA访问 DMA总线 将DMA的AHB主控接口与总线矩阵相连，协调CPU的DCode和DMA到SRAM、闪存、外设的访问 总线矩阵 协调内核系统总线和DMA主控总线间的访问仲裁，仲裁采用轮换算法 包含DCode、系统总线、DMA1和DMA2总线、被动单元 AHB到APB桥 两个AHB/APB桥在AHB和两个APB总线间提供同步连接 APB1速度限于36MHz，APB2全速最高72MHz 3.2 STM32F10x内部结构 3.2 STM32F10x内部结构 3.2 STM32F10x内部结构 3 STM32F10x简介 3.3 时钟结构 3.3 时钟结构 3.3 时钟结构 3.3 时钟结构 系统复位后，所有外设全部关闭， 但 SRAM 和 FLASH接口（FLITF）除外 使用外设之前需打开该外设时钟 设置 RCC——AHBENR 寄存器 参见PDF资料 3 STM32F10x简介 3.4 存储结构 存储组织： Cortex-M3的存储系统采用统一编址方式，小端方式 4GB 的线性地址空间内，寻址空间被分成 8 个主块 block0-block7 每块512MB 片内Flash：从 0始 片内SRAM：从 0始 包括： 代码空间 数据空间 位段、位段别名 寄存器 片上外设 外部存储器 外部外设 3.4 存储结构 3.4 存储结构 存储器映射： 3.4 存储结构 存储器映射： 3.4 存储结构 存储器映射： 3.4 存储结构 存储器映射： 3.4 存储结构 存储器映射： 3.4 存储结构 FLASH 由 Main Block 和 Information Block组成 Main Block： 存放用户程序，最高512KB 地址范围：0x0800 0000 – 0x0807 FFFF 小容量：16K-32K，最大4Kx64bit，共32x1K页 中容量：64K-128K，最大16Kx64bit，共128x1K页 大容量：256K-512K，最大64Kx64bit，共256x2K页 小容量：16K-32K，最大4Kx64bit，共32x1K页 互联型：最大32Kx64bit，共128x2K页 Information Block： System Memory 2KB：0x1FFF F000 – 0x1FFF F7FF ISP Bootloader程序 Option Bytes 16B：0x1FFF F800 – 0x1FFF F80F 特殊区域FLASH 3.4 存储结构 FLASH 3.4 存储结构 SRAM 最大64KB 地址范围： 0x2000 0000 – 0x2000 FFFF 3.4 存储结构 片上外设地址映射： 3.4 存储结构 位段(bit-band)、位段别名 M3存储空间中包括两个位段区，该区域即可字操作，又可位操作 SRAM最低1MB空间：0x2000 0000 – 0x200F FFFF 外设最低1MB空间：0x4000 0000 – 0x400F FFFF 为方便位段区的操作，安排了两个32M的位段别名区 位段区中每一位 映射 位段别名区中的