第2章 MCS51单片机的硬件结构.ppt

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第2章 MCS51单片机的硬件结构

D Q CLK Q 2 读锁存器 内部总线 写锁存器信号 1 读信号 V1 Vcc P1.i引脚 P1口1位结构原理图 上拉电阻 2.P1口的功能 (1)输出方式 输出数据经内部数据总线送入锁存器锁存,若某位为1,Q=1,Q=0,使V1截止,P1.i=1,反之P1.i=0 (2)输入方式 CPU发出的读信号打开三态门1,P1.i上数据经三态门1进入内部总线送至A。输入无锁存功能。 P1口输入时,若锁存器中Q=0,则/Q=1,使V1导通,P1.i被钳拉在低电平。不可能输入高电平。因此输入前,先用输出指令使Q=1。故称P1口为准双向接口 (3)端口操作 先将P1口的数据读入CPU,在ALU运算,结果再送回P1。执行这种“读-修改-写”类指令时,CPU可通过三态门2读回锁存器Q端数据,若通过三态门1从引脚上读回数据,有时会发生错误。 3.P1口负载能力 4个LSTTL负载,输出电流≥400uA 三、P2口 1.P2口1位结构原理图如图所示: 模拟开关受内部控制信号控制用选择P2口的工作状态。 D Q CLK Q 2 读锁存器信号 内部总线 写锁存器信号 读信号 Vcc P2.i引脚 P2口1位结构原理图 上拉电阻 1 地址 控制 信号 2.P2口的功能 (1)地址总线功能 CPU访问片外存储器时,模拟开关打向右边。P2口上送出PC高8位地址或DPTR高8位地址信息。再不作I/O口使用。 (2)通用I/O接口功能 P2口作准双向口使用,与P1口相同,也有输入、输出、端口操作三种工作方式。 3.P2口负载能力 4个LSTTL负载,输出电流≥ 400uA 三、P3口 1. P3口1位结构原理图如图所示 V1与上拉电阻构成输出驱动器, 与非门3为控制电路 D Q CLK Q 2 读锁存器 内部总线 写锁存器 1 读信号 第二功能输出 3 上拉电阻 V1 Vcc P3.i引脚 第二功能输入 4 1 P3口1位结构原理图 2.P3口的功能 (1)通用I/O接口功能 P3口用作I/O口时,其功能与P1口相同,也为准双向I/O口。 3.P3口负载能力 (2)P3口的第二功能 见前节内容。P3口作为第二种功能使用时,其锁存器Q端必须为高电平,否则V1导通,P3.i被钳位在低电平。 4个LSTTL负载,输出电流≥ 400uA 2.3 存储器配置 MCS-51系列单片机内含的存储器容量(字节数)如下表所示: 8052 8032 8751 8051 8031 128 256 - 8KB 128 256 - - 52子 系列 128 128 4KB - 128 128 - 4KB 128 128 - - 51 子 系 列 SFR RAM EPROM 掩膜ROM 片内数据存储器容量(B) 片内程序存储器容量(B) 存 储 器 类 型 MCS-51系列 单片机型号 MCS-51系列单片机存储空间可分为三大区域: 程 序 存 储 器 片内数据存储器 片外数据存储器 MCS-51的存储器结构与常见的微机的配置方式不同。它们把程序和数据存储器分开,各有自己的寻址系统、控制信号和功能。因访问指令不同,地址可以重叠。 一、程序存储器 1.编址与访问 ★ MCS-51单片机的PC为16位,所以程序存储器寻址范围为64KB(0000H~FFFFH) ★通过MOVC指令进行访问 ★编址规律: 先片内、后片外,片内片外连续,二者一般不作重叠。 EA=0,只访问片外程序存储器 EA=1,先访问片内程序存储器。当PC 0FFFH(51子系统)或PC1FFFH(52子系统) ,再去访问片外程序存储器。 存储器编址图如下图所示 0000H 0FFFH 0000H 0FFFH 1000H FFFFH 00H 7FH 80H FFH 片内ROM /EA=1 片外ROM /EA=0 片外ROM 片外RAM 0000H FFFFH 数据存储器 程序存储器 SFR 片内RAM 2.7 7个特殊单元 程序存储器有7个单元留作特殊用途。第一单元为0000H。复位后程序执行起始地址(PC=0000H)。另外6个对应于6个中断源(51子系统仅有5个),作为中断服务入口地 址,见下表: 002BH 定时/计时器2溢出或T2EX端负跳变(仅8032、8052用) 0023H 串行口 001BH 定时/计数器1溢出 0013H 外部中断1 000BH 定时/计数器0溢出 0003H

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