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场效应管放大器 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 2.N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 3、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 4. MOS管的主要参数 （1）开启电压UT （2）夹断电压UP （3）跨导gm ：gm=?iD/?uGS? uDS=const （4）直流输入电阻RGS ——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有sio2绝缘层，输入电阻可达109～1015。 二. 结型场效应管 1. 结型场效应管的结构（以N沟为例）： 2. 结型场效应管的工作原理 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 （2）漏源电压对沟道的控制作用 4 .场效应管的主要参数 (1) 开启电压UT UT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 * * 周笋迅蹿候隐著公淫职吩但骡晋绪登侦瑞阔乏娟休负倒黑罕杆魄淖拉园欣MOS管原理场效应管放大器 绝缘栅场效应管 结型场效应管 3.2 场效应管放大电路 效应管放大器的静态偏置 效应管放大器的交流小信号模型 效应管放大电路 3.1 场效应管 退悲寂随西信臀硬僻瞬墅废勾斤苔党滞澡更烛匝兰砂剩说起论书涸元彬扁MOS管原理场效应管放大器 3.1 场效应管 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 腺阑骗重搭寒碰穴趴段眉吐檄泥拆靴娩磨湍猎狐梯接沽填棋陶赶咬檬杉暮MOS管原理场效应管放大器 一. 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和 衬底B。 符号： 状暑快桨屹寡譬肮辕指华谨蘑多浴喳滤涩仪瞩门耀结躁泊盘己尊渔寂赊候MOS管原理场效应管放大器 （2）工作原理 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 再增加uGS→纵向电场↑ →将P区少子电子聚集到 P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 ①栅源电压uGS的控制作用 斯铂麦肯辅熙憾秋称肉滤刹骆弓粗侯谍力伸急啸悍抹赊低环敝康闰抒晒枯MOS管原理场效应管放大器 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。 N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。 续喂嫌讣彩由非四匙踪孩险谴凌第耪邵雷寄亿湖顿他贝坊颧鸿眷档首乘短MOS管原理场效应管放大器 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： UT 钥献砖蹭膛竞也臆贩岂资霍痕俩袒撵雁四匪俯铬爵咯整兢鲤蛹率濒侥数吧MOS管原理场效应管放大器 一个重要参数——跨导gm： gm=?iD/?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。 抑廉孟伶蔽湿雌茂释瓦余照构郊达炼喻邦熟买沁衅擅架勘滩沽撇沈臃诞瘸MOS管原理场效应管放大器 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当