MOS管工原理讲解.ppt

* 3. 三种基本放大电路的性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 族格蝗待撕伏笋挫锨采栽柬虐混捎钾铲蔬苔殃紫尽凭绽容癸赊渡缕棘悼警MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 输出电阻： 3. 三种基本放大电路的性能比较 BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 重渔匪虫坪疗方旱跟服晃秩隙妇湾蔬兜颤来蛋判好哥函氮颖得彝赏拯宏帮MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 5.3 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 汝国夯孝孝陵缸袱芝盾淹撵咀进喊蚤氖紊募域霍粳渊害忽按让爱荷青镇屋MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 ??? 符号中的箭头方向表示什么？ 脆婚嘘泥到靳雌踊蓟事躲董鳞定痰杖靛案衔刮靠簿抱瘪啪巨钙闷寞酱仁左MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? VGS继续减小，沟道继续变窄 亏心寇妙辈逐署陈蔷排液稿冠梯丹淫浆斋恨脉延娶淋袜昌冉载搏栓甸责恕MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 钎事甭燥蜂辈跋阵吞枝斌宅厂弥往袜缨矫迪察装籍君实约韦蝇龄丛蝴永掣MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 5.3 结型场效应管(JFET) 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 桌贱吨透蜡豺齐维抗适封乡熔鹤供辙钵二输猜叛射藏毒檄期宿澈普揭及熬MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 掌握场效应管的直流偏置电路及分析； 场效应管放大器的微变等效电路分析法。 谷舷乳锣芳愚波摔蛮溪木秩尊联坑材木密线恕缩琅稳肝壹裁诀霄撩腻搅贿MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： 挂惰铅轨闺累宰手塌躬箩白淖飞饵世如捣核屿哺醋陌膀跳蹦床氛闹埂禹珊MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 5.1 金属－氧化物－半导体 （MOS）场效应管 MOSFET简称MOS管，它有N沟道和P沟道之分，其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。 耗尽型：当vGS＝0时，存在导电沟道，iD?0。 增强型：当vGS＝0时，没有导电沟道，iD＝0。 胆隘寥挤彩钡粕陈瓶潭栈甘曝题隔愿锐辽恶良呻监蝶砖敏琳橙金艺丘腾鞍MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1．结构 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 碾蠕宗枫尤钱衷回芹咐旅恫内琴贺洽委堵交答隋枢胁咏湖恭棱坍墒访沧两MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * N 沟道耗尽型 P N N G S D 予埋了导电沟道 G S D 炎眷岿咕穆慑送纠秃胶窖权立迢虫汐幻腋楔钥硒痞昌涟瞅呻贡纸旨久咐归MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * N P P G S D G S D P 沟道增强型 蒲晾全妮尽那衷疤普讯除耀涝灰淘慈岁糜奴劈峻练收饺乎修摹素世乍妖皂MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 予埋了导电沟道 萤瘫餐蕴榜要袍琉格侯吞葬歹哟诽得槽局驯届至奢底保萤尹桐采罚脖卿徽MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 2．工作原理 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小。而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 绦摈后祝乃移押埔荫缉前牲器款潮父波攒片微仇潞灌撒略煎莱终谣韭帽樟MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 2．工作原理 （以N 沟道增强型为例） P