模拟电子技术基本概念题--填空题及答案..docVIP

填空题 二极管： 在半导体中．漂移电流是在 作用下形成的，扩散电流是在 作用下形成的。（电场，浓度差） 二极管最主要的特点是 ；确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。（单向导电性，IF，UR） 在室温(27度)时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V；硅二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V。（0.1, 0.3, 0.5, 0.7） 二极管的交流等效电阻rd随静态工作点的增大而 。(减小) 硅稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在 状态。（反向击穿区） 晶体管及放大电路基础： 晶体管从结构上可分成 和 两种类型：根据使用的半导体材料不同可分成 和 管。它们工作时有 和 两种载流子参与导电，常称之为双极型晶体管。（NPN，PNP；硅，锗；电子，空穴） NPN型和PNP型晶体管的区别是 （P区和N区的位置不同） 晶体管的穿透电流ICEO是集—基反向饱和电流ICBO的 倍。—般希望尽量选用ICEO 的管子（1+β，小） 晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对 电流的控制作用。（集电极） 已知晶体管β=99，IE=1mA，ICBO=0，则IB= ，IC= 。（0.01mA，99mA） 晶体管在放大电路中三种接法分别是 、 和 。（共射，共集，共基） 当温度上升时．晶体管的管压降UBE、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO分别将 、 和 。（降低，增大，增大） 从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为 ，锗管约为 ；晶体管在导通之后，管压降UBE变化不大，硅管的UBE约为 ．锗管的UBE约为 。（0.5 0.1 0.7 0.2） 从晶体管的输出特性可知，当基极电流增大，集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而 。（减小） 温度升高时，晶体管的共射极输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 。而且输出特性曲线的间隔将 。（左移，上移，增大） 晶体管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地的电位分别为UA=－5V、UＢ=－８V、UＣ=－５.2V，则晶体管对应的电极是：A为 、Ｂ为 、Ｃ为 。该晶体管属于 型 晶体管。（发射极，集电集，基极，PNP，锗） 晶体管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地的电位分别为=7V、=2.3V、=3V，则晶体管对应的电极是：A为 、Ｂ为 、Ｃ为 。该晶体管属于 型 晶体管。（集电集，发射极，基极，NPN，硅） 在晶体管共射放大电路中，当时，管子工作于 状态，此时集电极电流的大小只与 有关，而与 几乎无关。当恒定， 具有恒流的特性。（线性放大，IB，UCE，IC） 某晶体管的最大允许耗散功率是受 限制的。（管子的结温允许值的大小） 在晶体管放大电路中，集电极负载电阻的主要作用是把电流的控制和放大作用转化为 放大作用。（电压） 放大电路的非线性失真包括 失真和 失真。引起非线性失真的主要原因是 。（饱和，截止，静态工作点不合适，太高或太低，或输入信号幅度太大） 引起电路静态工作点不稳定的主要因素是 。为了稳定静态工作点，通常在放大电路中引入 。（温度变化引起元器件参数变化，直流负反馈） 某放大电路在负载开路时的输出电压为4v，接入3kΩ的负载后输出电压降为3v，则此电路的输出电阻为 。（1k ） 在晶体管组成的三种基本放大电路中，输出电阻最小的是 电路．输入电阻最小的是 电路，输出电压与输入电压相位相反的是 电路。无电流放大能力的是 放大电路，无电压放大能力的是 路。但三种放大电路都有 放大的能力。（共集，共基，共射，共基，共集，功率） 多级放大电路常见的耦合方式有 、 和 。（直接，阻容，变压器） 直接耦合多级放大电路存在的两