模拟电子技术课程试卷..docVIP

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模拟电子技术课程试卷.

职业技术学院2010—2011学年第一学期考试卷试卷编号:    (A)卷《模拟电子技术》 课程 课程类别:必、限、任 闭卷( √ )、开卷范围( ):考试日期:题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 累分人签名 题分 20 20 12 12 6 10 12 8 100 得分考生注意事项:1、本试卷共 6 页,总分 100 分,考试时间 120 分钟。 2、考试结束后,考生不得将试卷、答题纸和草稿纸带出考场。 得分 评阅人一、填空题(共20分,每题2分) 1、P型半导体是在本征半导体中掺入元素的杂质; 其多数载流子是。 2、载流子在电场的作用下形成的电流叫电流。 3、电子电路中,稳压管工作在区。 4、三极管有三种工作区,分别是、和。 5、场效应管的三个电极分别是、和。 6、集成运算放大器输入级通常采用,以抑制零漂,提高输入电阻。 7、在一个负反馈放大电路中,已知开环放大倍数A100,反馈系数F0.04,则闭环放大倍数Af。 8、一阶滤波电路阻带幅频特性以/十倍频斜率衰减,二阶滤波电路则 以/十倍频斜率衰减。阶数越,阻带幅频特性衰减的速度就越快,滤波电路的滤波性能就越好。 9、整流电路是利用二极管的性,将交流电压变换成。 10、放大电路的通频带是指。 11、场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。 得分 评阅人二、选择题(共20分,每题2分) 1、NPN晶体三极管处于放大状态的外部条件是()。 A、VBE0,VBC0 B、VBE0,VBC0 C、VBE0,VBC0 D、VBE0,VBC0 2、电路如图所示,设二极管为理想二极管,则输出电压Uab为()。 A、15VB、-15VC、12VD、-12V3、场效应管转移特性曲线如图所示,该管是()。 A、NJFETB、PJFETC、NDMOSD、PEMOS 4、在差分放大器中,已知两输入信号电压分别为Vi15sinωtmV,29sinωtmV,则差模输入信号电压Vid和共模输入信号电压Vic为( )。 A、sinωtmV14sinωtmVB、sinωtmV 7sinωtmV C、sinωtmV 14sinωtmVD、sinωtmV 7sinωtmV 5、在差分放大器中,已知单端输出时的差模电压放大倍数AVD-250,单端输出时的共模电压放大倍数AVC-0.05,则单端输出时的共模抑制比KCMRR为( )。 A、 -5000 B、250 C、12.5 D、50007、右图的反馈类型是( )。 A、电流并联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电压串联负反馈 8、产生自激的条件为( )。 A、φ+φfnπ, AF1 B、φ+φf2nπ, AF1 C、φ+φfnπ, AF1D、φ+φf2nπ, AF1 RL10KΩ,输出直流电压UO100V,则流过二极管的平均电流ID为( ) A、10mA B、5mA C、10A D、5A得分 评阅人三、电路如图所示,设二极管是理想的,vi 6sinwt V,V2V,R100Ω,试画 vo波形。得分 评阅人四、电路如图所示,已知UI5V,R11KΩ,R21 KΩ,R39 KΩ,R41 KΩ,R510 KΩ,R610 KΩR5流过的电流I。(12分)得分 评阅人五、如图所示电路中,已知VCC=VEE=16V,RL=4Ω, V1和V2管的饱和压降│UCEsat│=2V,输入电压足够大。试求最大不失真输出时输出功率Pom和效率ηm 。(6分)得分 评阅人六、在下图中,已知Vz6V,R1R2RP1KΩA的最大输出电流为5mA,调整管V2的放大倍数β为50;求: (1)输出电压Vo的可调范围。 (2)最大负载电流Iomax。(10分)得分 评阅人七、在图示两级阻容耦合放大器中,已知RB1100kΩ, RB224kΩ,RB333kΩ,RB46.8kΩ,RC115kΩ,RC27.5kΩ, RE15.1kΩ,RE22kΩ,RL5kΩ,C1C2C350μF, CE1CE2100μF,β160,β250,VG20V,VBE1VBE20.6V,试求: (1)前级放大电路的静态工作点; (2)画出其交流等效通路; (3)总的电压放大倍数Au; (4)放大器的输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分)八、试分析下图所示电路: 得分 评阅人(1)判断能否产生正弦波振荡。 (2)若能振荡,计算振荡频率,指出图中热敏电阻温度系数的正负。 (3)电路中存在哪几种反馈,分别计算稳定输出时各反馈电路的反馈系数。(8分) 第 1 页 共6 页 承诺:我将严格遵守考场纪律,知道考试违纪、作弊的严重性,还知道请他人代考或代他人考者

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