电子技术试库 - 河南工业和信息化职业学院.doc

电子技术试题库 第一部份 模拟电子 常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） （6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 （8）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。 图T1.4 五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。 图T1.5 六、电路如图T1.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问： （1）Rb＝50kΩ时，uO＝？ （2）若T临界饱和，则Rb≈？ 图T1.6 七．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入表内。 表T1.7 管 号 UGS（th）/V US/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 －5 1 3 T2 －4 3 3 10 T3 －4 6 0 5 基本放大电路 一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。 （1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。( ) （2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，( )它只能放大交流信号。( ) （3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，( )它只能放大直流信号。( ) （4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) （6）在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。( ) （7）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。( ) （8）当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。( ) 二、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路。根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 （1）要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （3）要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且Au1000，输出电阻R