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2009年IEEE核科学研讨会会议记录N25-32 窗体顶端 摘要 - 纳米（数控）半导体材料具有可利用的特性–如可调谐能量带隙，和电荷载体乘法–出现因强量子限制效应。如果高度统一的多重性激子可以发展在宏观数控样本，一个可以解渴的统计噪声与电荷载体的创作中的大部分材料。铅硫（硒化铅数控粒子的不同和碲化铅）大小和形状的合成，通过改变反应条件及其表征报告。密集的硒化铅数控组件形成的下拉式铸造加工分散在不同的金属接触，利用其自—烧结性质。电流-电压（I - V）特性数控大会进行了研究评估其财产作为一种数控组装二极管，其次是一个α粒子撞击实验从是241来源。活力和持续的实证挑战使用铅硫数控材料为基础的检测电离辐射讨论。 导言纳米晶（NC）的半导体材料，被称为量子点（量子点）目前关闭伟大的科学兴趣和广泛的研究，因为其独特的介观在纳米领域的发展[1]。如果颗粒的直径变得大大小于德布罗意波长的激子玻尔半径在大宗的半导体材料，波函数对半导体电子 - 空穴（EH）是强烈密闭。因此，激子的能量状态密度离散化和独特的大小取决于光电材料属性，如可调的能带隙的NCS，出现。强量子限制效应引起（CM）通过碰撞电离（二）过程中，这是高效的直接照片代多个电子 - 空穴对从一个单一的事件光子大大增强的电信运营商的互动，财产，推动其发展光伏设备如太阳能电池的应用[2]。此外，如果非华语整个宏观集会均匀，然后在非泊松多重结果的激子的承运人人口，其数量只受能源保护限制。因此，如果碰撞电离竞争或占主导地位，超过热损失过程，然后可以预期的统计计数噪音的淬火与泊松负责在创建过程中半导体材料[3]。 基于铅的硫族有利的特点材料及其应用探测电离不同大小和数控粒子辐射，硒化铅和的铅通过改变反应条件下合成了形状，和他们的物理特性和光电电性能调查。夹在紧密排列的数控装配，形成其自我团粒之间的不同性质，金属接触，其作为电离辐射性能探测器进行了测试。此外，实证障碍必须克服，以确认使用铅的可行性数控硫系材料检测的基础上电离辐射进行评估。 二。铅硫系数控合成米有铅，硫族化合物（硫化铅，硒化铅，的铅）负责创造良好的应用性能设备。具体来说，大批量的玻尔半径他们激子（20纳米，46纳米和50纳米的硫化铅，硒化铅和的PbTe分别），可在强量子限制比较大的数控结构。此外，该材料有几乎相同，小的电子有效质量孔的对称，相对简单广泛分离的电子能量密度水平，从而导致带内放松慢得多[3]。此外，尊重的核辐射检测，人们可以期待事件量子检测效率高，由于高原子序数（泽夫=56，为的PbTe的PbSe，分别为67）的铅的硫族材料[4]。图1。胶体铅硒纳米晶（NC）分散示意图通过热水注入法合成。成为你前驱体浓度暂时饱和核门槛之外的缓解瞬间成核过程。 最后，2009年11月12日。这项工作是支持国防威胁降低局（DTRA）基础研究发展计划。马克D. Hammig是核工程和放射科学系，密歇根大学安阿伯，MI美国48109（电子邮箱：geekim@ hammig@ UMI ）  ：硒化铅数控合成胶体硒化铅纳米晶合成高温度解决方案相路线，如图所示 1[3]，[5]。导致油酸和硒的溶解三辛基（顶级SE）被用来作为有机金属前驱体和二苯醚（DPE）的高温有机溶剂。溶解铅的铅油酸易制毒化学准备，醋酸醋酸铅，到DPE的混合物的最佳和油酸酸，它被加热到85℃1小时，随后冷却至室温。与1 M的最高混合后硒的解决方案，前体，然后迅速注入严格激起各种反应条件DPE，定义注射温度（Tinj）在惰性环境。硒化铅纳米晶生长的生长温度（TGR）36分钟，冷却。然后分散与混合不相容的代理人，即短链醇，数控颗粒沉淀的化学性质不同解决方案。数控颗粒，然后重新 - 分散成溶剂，并通过X射线衍射（XRD），扫描研究和透射电子显微镜（SEM和TEM）电子衍射模式的图像。 一个典型的反应条件下一批的PbSe数控分散的合成上对Tablle一，整体表数控粒子的大小和单分散为调查通过X射线衍射和电子图所示的显微照片2和3。图2显示的X射线衍射硒化铅数控样本模式。所有5个衍射峰样品一贯匹配与著名山峰从粉末衍射文件（PDF）库。衍射峰成为扩大数控粒子的大小减小。从每个衍射峰的半高宽，基于罗谢勒的估计，粒子的平均粒径公式。 表一，数控分散硒化铅合成条件 图3显示了每个NC的电子显微镜图像样品。通过手动测量个体大小颗粒，样品平均粒径可计算。在一般情况下，数控粒子的大小和形状在每个样品是均匀的。值得注意的是，平均规模硒化铅数控颗粒为15纳米，5纳米，5.5纳米，7.5纳米，样品1，2，3，4和5分别为12纳米。正如所料，数控粒子的大小增加，当它被注射或生长在较高的温度。日益增长的时间也影响了粒子的大小，时间较长的增长，在较大造成粒子的大小，因为它可以看到之间