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电子元器件知识---晶体三极管 晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。特点晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等型号 外型 ?结构利用特殊工艺将两个PN结结合在一起就构成了双极型三极管。结构特点：e区掺杂浓度最高，b区薄，掺杂浓度最底；c区面积最大。 ???分类： ???????　　1）按材料和极性分有硅材料的NPN与PNP三极管.锗材料的NPN与PNP三极管。 　　2）按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、高反压管、达林顿管、带阻尼的三极管等。 　　3）按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管。 　　4）按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管。 　　5）按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。 6）按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。 ???电流放大原理 ???? （1）放大条件 ???????内部条件：e区掺杂浓度最高，b区薄，掺杂浓度最底；c区面积最大。 ???????外部条件：发射结（e结）加正向偏置电压，集电结（c结）加反向偏置电压。 ???????电位条件：NPNVc＞Vb＞Ve ；PNP型： Vc＜Vb＜Ve ???????电压数值：UBE 0.5-0.8V,??? 锗0.1-0.3V ???????????????? UCB：几伏——十几伏 ???????????????? UCE：UCEUCB＋ UBE　 几伏——+ 几伏　 ????? （2）三极管内部（NPN型为例）?? ???????? 1) IE。 ???????? 2)向发射区扩散的基区多子（空穴）因数量小被忽略。这样，到达基区的电子 BC 结方向扩散形成 ICN。少数与空穴复合，形成 IBN 。基区空穴来源主要来自基极电源提供(IB)和集电区少子漂移(ICBO)。即IBN ( IB + ICBO，IB = IBN – ICBO ???????? 3)集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 IC，I C = ICN + ICBO 。 ????? （4）三极管各极电流之间的分配关系???? ? IB = I BN ( IIC= I CN + ICBO ?? 当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： ??晶体三极管的特性曲线 ???? 1.输入特性曲线： ??? 由输入回路可写出三极管的输入特性的函数式为iB=f(uBEuCE=常数。实测的某NPN型硅三极管的输入特性曲线如下图(b)所示，由图可见曲线形状与二极管的伏安特性相类似，不过，它与uCE有关，uCE=1V的输入特性曲线比uCE=0V的曲线向右移动了一段距离，即uCE增大曲线向右移，但当uCE＞1V后，曲线右移距离很小，可以近似认为与uCE=1V时的曲线重合，所以下图(b)中只画出两条曲线，在实际使用中，uCE总是大于1V的。由图可见，只有uBE大于05V(该电压称为死区电压)后，iB才随uBE的增大迅速增大，正常工作时管压降uBE约为0.6～0.8V，通常取0.7V，称之为导通电压uBE(on)。对锗管，死区电压约为0.1V，正常工作时管压降uBE的值约为0.2～0.3V，导通电压uBE(on)≈0.2V。 ??? ????? 2.输出特性曲线 ??? 输出回路的输出特性方程为：iC=f(uCEiB=常数 ；晶体三极管的输出特性曲线分为截止、饱和和放大三个区，每区各有其特点：??? ??? （1）截止区：?? IBIC=ICEO≈0，此时两个PN结均反向偏置。 ??? （2）放大区：IC=βIB+ICEO? ，此时发射结正向偏置，集电结反向偏置，特性曲线比较平坦且等间距。 IcIB控制，IB一定时，Ic不随UCE 而变化。 ??? （3）饱和区： uCE u uCB = uCE ( u BE 0 ，此时两个PN结均正向偏置，IC ( ( IBIC不受IB控制，失去放大作用。曲线上升部分uCE很小，uCE = u BE时，达到临界饱和，深度饱和时，硅管 UCE(SAT)=0.3V，锗管UCE(SAT)=0.1V。 ???? 3.温度对特性曲线的影响 ???? （1） 1(C，UBE ( (2 ( 2.5) mV。温度每升高 10(C，ICBO 约增大 1