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第1章 晶体二极管 *1 晶体二极管:由PN结构成的电子器件.. *2 晶体二极管的主要特性:单向导电性. *3 晶体二极管结构.符号 1.1 半导体的基础知识 一、半导体特性 *1 导体. ρ10-3Ω?cm 绝缘体. ρ108Ω?cm 半导体 10-3Ω?cm ρ 108Ω?cm *2 半导体的独特性质 1)掺杂性: ρ受‘掺杂’影响大 2)热敏性:ρ随温度上升而下降 3)光敏性:ρ随光照的增强而下降 *3 导电性有差异的根本原因:物质内部原子结构. 1 本征半导体 1) 本征半导体 2) 共价键 3) 本征半导体的导电性 ①本征激发.载流子 ②空穴 ③本征半导体两种载流子:自由电子.空穴 ④电子-空穴对 ⑤复合 2 、杂质半导体 * 杂质半导体 1)N型半导体 ①多子-电子, 少子-空穴 np ②施主杂质 ③热平衡条件:n·p=ni2 电中性条件:n=Nd+p 2)P型半导体 ①多子-空穴, 少子-电子, pn ②受主杂质 ③热平衡条件:n·p=ni2 电中性条件:p=Na+n 1.2 PN结 一、 PN结的基本原理 1.PN结 1)PN结中载流子的运动→空间电荷区 *1 漂移电流 *2 扩散电流 *3动态平衡: 二.PN结的单向导电性 1、正向特性 2、反向特性 3、伏安特性 Is:反向饱和电流; VT:热电压。常温(300k)下, VT=26mV。 4、温度特性 5、击穿特性 ①雪崩击穿 ②齐纳击穿 1.3 晶体二极管 一、符号及特性曲线 1 、符号 2.特性曲线 二.二极管模型 1.简化电路模型 2、小信号电路模型 三.晶体二极管电路分析方法 1.图解法 2.简化分析法 采用简化电路模型 3.小信号分析法(|ΔV|5.2mV) 例:电路如图: 1)利用硅二极管恒压模型求电路的ID和uo=Uo=? 2)在室温(300K)的情况下,利用二极管小信 号模型求uo的变化范围。 解:1) 2) 例:在图(a)所示电路中,试画出VO随VI变化的 传输特性。 解: 1.4 晶体二极管的应用 利用晶体二极管的单向导电性和反向击穿特性 构成整流,稳压,限幅电路 ? 单相小功率直流电源 1)整流电路 2)稳压电路 ①稳压原理 Izmin≤Iz≤Izmax ②稳压电路 3)限幅电路 * 本章小结 1 晶体二极管特性. 2 晶体二极管分析方法. 3 晶体二极管的应用-整流.稳压.限幅. * ° ° ° D + - VD(on) RD rs rd ° ° * * *

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