《电子技术基础数字部分》第五版(康华光).第7章.存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列.ppt

7.2 随机存取存储器 7.2.3 动态随机存取存储器 除了读、写操作可以对存储单元进行刷新外，刷新操作也可以只选通行线来实现。例如当X=1， ，R=1，进行刷新，这种刷新是整行刷新。 1 1 1 2V 2V 5V 5V 7.2 随机存取存储器 7.2.4 存储器容量的扩展 目前，尽管各种容量的存储器产品已经很丰富，最大容量已经达到1Gbit以上，用户可以根据需要选择存储器芯片。但是只用单个芯片不能满足容量要求的情况仍然存在。个人电脑的内存条就是一个典型的例子，它由焊接在一个印刷电路板上的多个RAN芯片组成。所以涉及到存储容量的扩展问题。 存储容量的扩展包括字长扩展和字数扩展。 字长扩展 ( 位扩展 )，通常RAM芯片字长为1、4、8、16和32位，当设计的存储器位数超过RAM芯片字长时，要进行位扩展。 字数扩展 ，当RAM芯片的存储容量达不到设计存储器容量要求时，要用多个RAN芯片进行字数扩展 。 7.2 随机存取存储器 1. 字长（位数）的扩展 字长扩展可以采用并联的方式实现，即将RAM芯片的地址线、读/写控制线和片选信号线对应的并联在一起，而各个芯片的数据输入/输出端作为字的各位。 例：用4K×4位的4片芯片组成4K×16位的存储系统。 7.2.4 存储器容量的扩展 7.2 随机存取存储器 例：单片机外扩4K×4位的4片芯片组成4K×16位的存储系统。 7.2.4 存储器容量的扩展 D0 D1 D2 D3 23AH 23BH 23CH 23DH 23EH D4 D5 D6 D7 D8D9D10D11 D12D13D14D15 1 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 0 1 1 1 0 0 23AH 23BH 23CH 23DH 23EH 23AH 23BH 23CH 23DH 23EH 23AH 23BH 23CH 23DH 23EH D15 D14 D11 D10 D1 D0 OE CE A0～A11 单片机 0 0 例如：读，23BH单元：A11～A0 001000111101 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 7.2 随机存取存储器 2. 字数扩展 字数扩展即存储单元的扩展，利用外加译码器控制存储器芯片的片选使能输入端实现，要使各芯片的存储单元地址连续。 例：用8K×8位的芯片组成32K×8位的存储系统。 8K×8芯片：存储单元8K=8×1024=23×210=213 ，13根地址线A0～A12 32K×8存储系统：存储单元32K=25×210=215 ，15根地址线A0～A14 利用外加译码器对A13、A14译码，即采用2-4线译码器，译码器输出控制存储器芯片的片选使能输入端，实现存储单元的扩展。 芯片地址范围确定方法 片选信号确定后，保持片选地址不变，取芯片的地址最小和最大，就确定了该芯片的地址范围。 7.2.4 存储器容量的扩展 7.2 随机存取存储器 RAM 译码器 扩展地址线 芯片地址线 存储系统 芯片 输出 A14 A13 A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0 地址 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0000H (0) Y0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0001H ······ ······ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1