大学物理Ⅰ—2模拟试卷.docVIP

大学物理Ⅰ—2模拟试卷（09级） 选择题：（共30分） 1．（本题3分）半径为r的均匀带电球面1，带电量为q其外有一同心的半径为R的均匀带电球面2，带电量为Q则两球面间的电势差2((1为 (A) 0 (B) (C) (D) [ ] 2．（本题3分）如图所示，把一块原来不带电的金属板B，移到已带有正电荷Q的金属板A附近平行放置．设两板面积都是S，板间距离是d，忽略边缘效应．记B板不接地时两板间电势差为UAB，B板接地时电势差为U(AB，则 (A) UAB=Qd/(0S， U(AB=Qd/(0S (B) UAB=Qd/2(0S， U(AB=Qd/2(0S (C) UAB=Qd/(0S， U(AB=Qd/2(0S (D) UAB=Qd/2(0S， U(AB=Qd/(0S [ ] 3．（本题3分）关于高斯定，下列说法中正确的是 (A) 高斯面的通量仅与面内电荷有关 (B) 高斯面电为零，则面内必不存在电荷 (C) 高斯面上电为零，则面内必不存在电荷 (D) 高斯面内不包围电荷，则面上各点电为零 [ ] 4. 一电子以速度垂直地进入磁感应强度为的均匀磁场中，此电子在磁场中运动轨道所围的面积内的磁通量将 (A) 正比于B，反比于v2。 (B) 反比于B，正比于v2。 (C) 正比于B，反比于v。 (D) 反比于B，反比于v。 [ ] 5. 如图，在一圆形电流I所在的平面内，选取一个同心圆形闭合回路L，则由安培环路定理可知 (A)，且环路上任意一点B=0 (B) ，且环路上任意一点B(0 (C) ，且环路上任意一点 B(0 (D) ，且环路上任意一点B=常量。 [ ] 6．（本题3分）关于位移电流的下述说法，正确的位移电流是由线性变化磁场产生的 (B) 位移电流与变化的电场有关 (C) 位移电流产生的磁场不服从安培环路定理 (D) 位移电流热效应服从焦耳楞次定律 7．（本题3分）证实德布罗意波存在的关键性实验是： (A) 卢瑟福实验 (B) 康普顿实验 (C) 斯特恩—盖拉赫实验 (D) 戴维孙—革末实验 [ ] 8．（本题3分）处于主量子数n=2状态的氢原子 (A)能够发射一个可见光光子． (B)能够吸收一个可见光光子． (C)能够发射也能够吸收一个可见光光子． (D)不能够发射也不能够吸收一个可见光光子． [ ] 9．（本题3分）氢原子中处于3d量子态的电子，其四个量子数(n, l, ml, ms)的可能取值为 (A) (2, 1, 2, 1/2) (B) (3, 1, 1, (1/2) (C) (1, 0, 1, (1/2) (D) (3, 2, 0, 1/2) [ ] 10．（本题3分）下列说法中，正确的是 (A)本征半导体中电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体（N型或P型）中只有一种载流子（电子或空穴）参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好． (B) N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带（导带）的底部，使局部能级中的电子容易被激发跃迁到导带中去，大大提高了半导体的导电性能． (C) N型半导体的导电性能优于P 型半导体，因为 N型半导体是电子导电，P型半导体是空穴导电． (D) P型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动． [ ] 填空题（共20分） 1．（本题3分）一平行板电容器，两极板间充满相对介电常为(r的均匀各向同性电介质，充电后与电源保持连接，然后将电介质移出，这时两极板上的电量是原来的倍，场强是原来的倍，电场能量是原来的倍. （本题3分）真空中电流I由长直导线1沿垂直bc边方向经a点流入一电阻均匀分布的正三角形金属线框，再由b点沿平行于ac方向流出，经长直导线2返回电源，如图所示，三角形线框每边长l，则在三角形框中心O点处磁感应强度大小B= 。 3. （本题3分）氢原子中，电子绕原子核沿