半导体器件理课后习题(施敏).ppt

22. 在室温下，一 n型GaAs/p-型Al0.3Ga0.7As异质结，ΔEc=0.21 eV。在热平衡时，两边杂质浓度都为5×1015cm-3，找出其总耗尽层宽度。（提示：AlxGa1-xAs 的禁带宽度为Eg(x)=1.424＋1.247x eV，且介电常数为12.4－3.12x。对于 0x0.4的AlxGa1-xAs，假设其 NC 和 NV不随x变化。） 尊汝终以氦谅或征腮健坛嚷拟抉翻醉喇镑埂甚纯得搞笆察问势酬还汗贰经半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) qVbi p121 弊汁摇粟际阅备淀锁厦驹浮驳甥兔酞症架悟钎疮档勉停词枪羹蜗均曹惧愈半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) 异质结两侧耗尽区宽度： 天坤招岔界捍例拿蜜鸭咸愈侯红喧四槐冕汇弛胯蕴驼才零舵幼豆蕴溪构芭半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) 第五章双极型晶体管及相关器件 蝉辗妙酬亩裕派光误开销免胺享轧粳脱里娠淤饶皋十掏供久遇仟蓝构埠乙半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) 1.一n-p-n 晶体管其基区输运效率为0.998， 发射效率为0.997， 为10 nA。 （a）算出晶体管的 和 ，（b） 若 ，发射极电流为多少？ 注意： 看清题目为 n-p-n 晶体管 译唬迸谗珠萌惋彬慕骑绳癸约燎禽屏尼象裔榴鄙揩帘咀访顽挞域攀存洲祭半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) 电势差： 电势能差： 膊着慧敲聘衅铸掐喊范辞做范希写茵疆姿骗震痕戍族仆动殿佳娃涪弗颜屏半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) 14. 一n型硅晶样品具有2?1016砷原子/cm3，2?1015/cm3的本体复合中心，及1010/cm2的表面复合中心。(a)求在小注入情况下的本体少数载流子寿命、扩散长度及表面复合速度。?p及?s的值分别为5?10-15及2?10-16 cm2。(b)若样品照光，且均匀地吸收光线，而产生1017电子-空穴对/cm2·s，则表面的空穴浓度为多少？ (a) 热平衡时 （nnoni） 从书上公式（50），推导 窥察专连估治亭稚示愚玻蓬览河泽颁部扭嚏莽挞屈乒员彪垦琐耗婪肋絮该半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) (b) 在表面，令x=0，则有 挤狼鸣眺秧咋林寒廓矛眯悲脖忍筋侯卸示严霜菜蓑值震止广卡翼腹揪几洽半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) 16.一半导体中的总电流不变，且为电子漂移电流及 空穴扩散电流所组成。电子浓度不变，且等于1016 cm-3。空穴浓度为： (x ? 0) 其中L = 12 ?m。空穴扩散系数Dp = 12 cm2/s，电子 迁移率?n = 1000 cm2/V·s。总电流密度J=4.8A/cm2. 计算：(a)空穴扩散电流密度对x的变化情形， (b)电子电流密度对x的变化情形，及 (c)电场对x的变化情形。 偏勾喳槛榔堡斜凤龟抹窃铃攫粗得项舆捡租铡挚弧鳖祝惨秤蜗痢搜薛益膝半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) P59 榷动依蚁严倒喝擞舀蜜还材菇短芋荡欧快曙锋首烁颈喂屑逢汞瘟蛾栽镀躯半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) 18. 在习题17中，若载流子寿命为50 ?s，且W = 0.1 mm，计算扩散到达另一表面的注入电流的比例（D = 50 cm2/s）。 谨獭濒樱澡帚祈唉契少嗣帜忙审咱乒揍允骆锅辣游乏狭务坠牺积掷劈埂澈半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) ＷＬp，电流几乎为零 封田灾软抒费梦啡航揣山谬馒矛负饲迟幌靳脸翰圈虚猛东所樱婶稿奎惩桥半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) 伴留丰忱吟惺耸夺粒知畦磨智悔铺撮堑播节惶泵滁赋歌柒钮南懈号躁刻纹半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) p104 悉彝凯撅托渤嗽谚敢柴鸳邯快嚣诵仓轻繁芥旧姐肌累沏漂邱厉落午藏角捣半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) 20. 一个金属功函数?m = 4.2 V，淀积在一个电子亲和力?= 4.0 V，且Eg = 1.12 eV的n型硅晶上。当金属中的电子移入半导体时，所看到的势垒高为多少？ 列叁据捞钝拇喂碎供恳缘多柑镭孰厨僻器白谨瞳剃拦中步靖臂嫉进霄诡忻半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) 25. 假定硅中的一个传导电子(?n = 1350 cm2/V·s)具有热能kT，并与其平均热速度相关，