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模拟电子技术 第1章 半导体二极管、三极管 1.1 半导体的基本知识性 1.1.1 半导体材料及其特性 1.1.2 本征半导体的结构 1.1.2 本征半导体的结构 1.1.3 本征半导体中的两种载流子 1.1.3 本征半导体中的两种载流子 1.1.3 本征半导体中的两种载流子 1.1.3 本征半导体中的两种载流子 1.1.4 杂质半导体 （1）N型半导体 （2）P型半导体 几点注意 1.2 PN结的形成及特性 1.2.1 PN结的形成 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.3 PN结的反向击穿特性 1.2.4 PN结的电容效应 1.2.4 PN结的电容效应 1.2.4 PN结的电容效应 1.2.5 温度对PN结特性的影响 1.3 半导体二极管 1.3.1 二极管的结构和符号 1.3.1 二极管的结构和符号 1.3.2 二极管的伏安特性 1.3.3 二极管的主要参数 1.3.3 二极管的主要参数 1.3.3 二极管的主要参数 1.3.3 二极管的主要参数 1.3.4 二极管的等效模型 1.3.4 二极管的等效模型 1.3.4 二极管的等效模型 1.3.4 二极管的等效模型 1.3.5 二极管应用电路举例 1.3.5 二极管应用电路举例 1.3.5 二极管应用电路举例 1.3.5 二极管应用电路举例 1.3.5 二极管应用电路举例 1.3.5 二极管应用电路举例 1.3.5 二极管应用电路举例 1.4 特殊二极管 1.4.1 稳压二极管 1.4.1 稳压二极管 1.4.1 稳压二极管 1.4.1 稳压二极管 1.4.1 稳压二极管 1.4.2 发光二极管 1.4.3 光电二极管 1.4.4 变容二极管 1.5 半导体三极管BJT 1.5.1 BJT的结构与符号 1.5.2 BJT的电流分配与放大作用 1.5.3 BJT的特性曲线 1.5.4 BJT的主要参数 1.5.1 BJT的结构与符号 1.5.1 BJT的结构与符号 1.5.1 BJT的结构与符号 1.5.2 BJT的电流分配与放大作用 （1）BJT内部载流子的传输过程 （1）BJT内部载流子的传输过程 （2）BJT的电流分配关系 （2）BJT的电流分配关系 （3）BJT的放大作用 （3 ） BJT的放大作用 （4）共射极连接方式 （4）共射极连接方式 （4）共射极连接方式 （4）共射极连接方式 （4）共射极连接方式 （4）共射极连接方式 （4）共射极连接方式 1.5.3 BJT的特性曲线（共射极） 1.5.3 BJT的特性曲线（共射极） 1.5.3 BJT的特性曲线（共射极） 1.5.3 BJT的特性曲线（共射极） 1.5.3 BJT的特性曲线（共射极） 例题 例题 例题 例题 小结 1.5.4 BJT的主要参数 1 电流放大系数 1 电流放大系数 2 极间反向电流 2 极间反向电流 3 极限参数 3 极限参数 例题 某晶体管的输出特性曲线如图所示。从图中确定该管的主要参数： ICEO=__________， U(BR)CEO=_______， PCM=__________， β=___________， α=___________， (在UCE=10V，IC=2mA附近) 例题 例题 我国半导体器件的命名规定 本章小结 发射区向基区注入电子 电子在基区的扩散与复合 集电区收集扩散过来的电子 双极型晶体管 ——称作共基极直流电流传输系数 通常IC ICBO 所以 晶体管各电极的电流关系： 小结 （1）三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流可以通过基区传输，到达集电极而实现的。为了保证这一传输过程，一方面要满足BJT放大的内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，且基区厚度要薄，集电结的面积大于发射结的面积 ；另一方面满足BJT放大的外部条件，即发射结要处于正向偏置，集电结要处于反向偏置。 （2）三极管内各个电流之间有确定的分配关系，表征三极管的电流控制作用的参数是电流放大系数。 由三极管组成的放大电路中，若三极管的一个电极作为信号输入端，而一个电极作为信号输出端，另一个电极作为信号输入输出回路的公共端。根据公共端的不同，三极管有三种连接方式（三种组态）：共基极、共发射极和共集电极接法。 当把IB作为输入电流、IC作为输出电流时 令 ——称为共发射极直流电流放大系数 当IB=0时， ——称为