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1 11111 1 电子基础 腿踏实地；异想天开…. 兢兢业业，踏踏实实! 学会发现问题，面对问题，了解问题，解决问题。 1、半导体和PN结 根据物体导电能力（电阻率）的不同，来区分导体、绝缘体和半导体；导 体：电阻率小于10－4次方，比如金Au、银Ag、铜Cu、铁Fe等绝缘体：电阻率大于10＋9次方，比如玻璃、橡胶、塑料等半导体：介于两者之间，比如硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs等是良好的导体； （电阻率：是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示；单位为欧姆*毫米平方/米。R= ρ *L/S） 半导体特性： 1、热敏性2、光敏性3、掺杂性 概念： 1、本征半导体、杂质半导体； 2、多数载流子、少数载流子； 3、N型半导体（掺杂5价磷P元素）、P型半导体（掺杂3价硼B元素）； PN结形成原理： 浓度差－－》多子扩散－－》掺杂 离子形成空间电荷区－－》内电场 －－》阻止多子扩散，促使少子漂 移－－》动态平衡，所以PN实际是 电荷区，又叫耗尽层 特点： 1、单向导电性 2、光热敏 V/I曲线：导通、击穿、结电容 2、半导体二极管 1、点接触型 PN结面积小，结电容小，适合检波、变频等高频电路 结构： 2、面接触型 PN结面积大，适合工频大电流整流电路； 3、平面型 PN结面积可大可小，用于集成电路制造工艺中，多用于开关和高频整流电路； 伏安曲线： 半导体二极管实物图 特性参数： 1、最大整流电流Rf； 2、反向击穿电压VBR和反向电流Ir/反相饱和电流Is； 3、导通电压Vf，或正向压降。一般硅管0.7V,锗管0.2V； 4、极间电容或最高工作频率； 3、特殊半导体二极管 2、变容二极管 3、光电子器件（光电二极管、发光二极管LED、激光二极管等） 1、稳压二极管 A：稳压原理 稳压原理： 利用二极管反向特性实现稳压。稳压状态，二极管工作在反向击穿区，同时说明电击穿是可逆的（齐纳击穿、雪崩击穿），而热击穿是不可逆的。 B：特性参数 1、稳定电压Vz。 2、动态电阻Rz=?Vz/?Iz 3、最大耗散功率Pzm＝Vz×Iz 4、最大稳定工作电流Izmax和最小稳定 工作电流Izmin 5、稳定电压的温度系数 C：典型应用电路和参数设计 稳压条件：满足下列不等式，并注意功耗不能超过Pzm 需要设计一个6V的稳压电路， 已知：Vi＝12V,Vz=6V,Imax＝20mA, Imin＝2mA问：R=?合适 4、二极管在整流电路中的应用 半波整流电路： 全波整流电路： 桥式整流电路： 5、思考题 练习1： 1、请分析右图的D1,D2导通情况 2、VA输出电压是多少？假设二极管导通管压降为0.7V 练习2： 请分析右图电路的工作原理，假设U1=220V,变压器匝比50：1，Uo＝？ 6、半导体三极管的工作原理 1、实物和内部结构 2、工作条件和电流分配 发射区高掺杂，集电区低掺杂，面积大，基区很薄，最低掺杂。 放大条件： 发射结正偏 集电结反偏 7、三极管的输入输出特性曲线 8、三极管的主要参数 9、三极管电路分析－－图解法 饱和失真 截止失真 10、三极管小信号等效电路 1、H参数小信号模型 目的：简化分析，使 非线型简化为线性分 析，等效成流控电流 源。 使用范围：小信号。 11、三极管放大电路的主要技术参数 1、放大倍数或放大增益 反映放大电路在输入信号控制下，把 供电电源能量转化为输出信号能量的 能力。 放大倍数：Av=Vo/Vi 放大倍数：Avo=Vo/Vi（负载开路） 放大增益：Av＝20Lg （Vo/Vi） dB 问：放大0倍 和0dB,那个大？ 2、输入电阻 Ri＝Vi/Ii 3、输出电阻 Ro＝Vt/It Vs＝0的时候 还有温度特性和频率特性 比如温漂、零漂、带宽、频响等 传递效率问题： 真正到达负载上的电压=Vs×（Ri/（Rs＋Ri））×Avo× （RL/（Ro＋RL）） 所以，Ri越大越好，Ro越小越好，同时可以看出，RL的变化是影响整个电路最终的放大效果的 12、三极管放大电路分析－－小信号等效电路法 H参数小信号模型分析 最后结论： 问： 请推算以上结论是怎么得到的？ 13、放大电路工作点稳定问题 温度增加，会造成Ic上升，导致工作点漂移， 造成放大参数不稳定。 稳定原理： T 升高－－》Ic 增大 －－》Ie 增大 －－》Ve增大，Vb基本不变－－》Vbe 减小－－》 Ib减小－－》Ic减小，Re取值越大，稳定能力越强 B点电位基本不变条件：I1Ib ，一般5～10倍，此时Vb约等于Rb2/（Rb1＋Rb2）*Vcc 14、三组态性能比较 15、多级放大器 多级放大器级间耦合： 1、直接耦合 优点：频带宽，适合集成电路工艺 缺点：工作点关联 2、阻容耦合 优