封装线流程(下游).pptVIP

1,2,3 1 1 LED 封裝材料 ………………………………. 2 LED 封裝流程 ………………………………. LED 封裝材料 Chip Zener diode Lead frame plastic cup 聚磷苯二甲醯胺 polyphthalamide (PPA) 聚醯胺 polyamide (PA) ，低吸濕性Nylon 液晶高分子 Liquid Crystal Polymer (LCP) 銀膠(conductive silver paste) Diglycolether of bisphenol A 10% Silver 70~90% Epoxy/rubber copolymer1~20% 非自燃性，熱硬化型高分子聚合物 Ph 6.5，非水溶性 300℃以上熱裂解 Density 3.6~4g/cm3 小於20μm 黏度在25℃，11000~16000cps Tg 79℃ 熱膨脹係數43ppm/ ℃ (小於Tg)， 228ppm /℃(大於Tg)。 熱傳導係數2.5W/mK(120℃) 晶片(11mil*11mil在銀支架上)推力大於130 g/die (25℃) 絕緣膠(die-bonding paste) 矽膠 熱阻抗 UV阻抗 Density 1.15g/cm3 折射率1.42 硬化後，彈性模數270 N/mm2 光穿透率70(400nm/2mm) 熱膨脹係數220ppm 熱傳導係數0.2W/mK 金線 ( Gold Wire ) 目的：將晶片內部的電路與導線架相連接, 使訊號可向外延伸 螢光粉 ( Phosphor ) 必須被藍光(或紫外光)有效激發，並且有高的量子效率及物理化學穩定性(防潮、熱穩定性且不與晶片及封裝材料發生反應)。光轉換效率、混合白光之色溫、演色性指數、粉體表面形貌與成分之劣化等。 螢光材料主要由下列幾項所組成： 主體晶格(host lattice) 活化劑 增感劑 助熔劑(flux) 顆粒大小約5~10μm。 鋁酸鹽：yttrium aluminum garnet(Y3Al5O12) ：Ce3+ 矽酸鹽：Strontium orthosilicate(Ba, Sr)2SiO4：Eu2+ 磷酸鹽、含硫 Coating Glue封膠主要可分為Silicone膠及Epoxy膠兩種透明膠.需考慮特性為:接著力,折射率,表乾程度,硬度,黏度(螢光粉沉澱) , pot life , life time …等特性其與配方有關. LED 封裝流程 LED封裝製程-擴晶 LED封裝製程 – Plasma clean LED封裝製程-烘烤 目的:利用烘烤溫度將接著劑固化，並使其與晶粒及導線架表面 結合 Wellypower Proprietary Confidential Wellypower Proprietary Confidential Outline bisphenol diglycol ether 捲帶 (Tape Reel ) Carrier Tape Reel Cover Tape 生管排程 前段製令工單 前段備料員 領料、發料 固晶 Plasma 打線 點膠 烘烤 下料 測試 後段備料員 領料、發料 包裝 目檢 入半成品倉 生管排程 後段製令工單 FQC 入成品庫房 目的Die wafer expansion 擴晶前 擴晶後 固晶 固晶機 Lead frame wafer system (已擴晶blue tap) Stamping system (點固晶膠) 吸嘴:吸取晶片 Lead frame 點固晶膠 從blue tap吸取chip 放置晶片於固晶膠上 完成固晶動作 Chip Chip 吸嘴 吸嘴 目的：利用接著劑將晶粒(晶片)黏著於導線架或基板表面，使其固著於基座上，利於銲線及點膠。 目的:利用物理撞擊及化學反應去除表面不純物 瓷嘴 打線 Chip 目的：利用熱及超音波,使用金線銲接於晶片上的銲墊及導線架或基板的銲墊上連接內外部線路，使晶片得以與外界溝通。 打線機 Wellypower Proprietary Confidential