集成电路设计4-工艺库文件.ppt

junyu@dlut.edu.cn 集成电路课程设计 Clean Room Size: wafer?chip?wire 多晶圆代工（MPW,multi project wafer） 降低费用，适于研发 多晶圆代工（MPW,multi project wafer） 一次流片成本：几万至几十万元； 大批量流片成功，单芯片价格低廉（几毛钱、几分钱）； 单芯片上元器件数目：达到上千万晶体管，流片失败，损失巨大； 研发阶段，小量流片，单芯片价格高（十、百元）； 确保设计正确性，必须有完备的检查、验证规则以及计算机辅助验证手段。 晶圆代工厂提供的文件 Spice仿真模型文件 drc 版图规则验证文件 lvs 原理图与版图对比验证文件 xRC寄生电阻电容参数提取规则文件 Spice仿真模型文件(lib.eldo) 使用：原理图设计完成后，进行电路spice仿真时调用； 内容为各种器件模型： 模型的名称； 模型中的参数值； 模型的计算公式。 Spice仿真模型文件(lib.eldo) *************************************************************** ** *1.2V NORMAL DEVICES LIB* ** *************************************************************** ***************** CORNER_LIB OF TYPICAL MODEL **************************** .LIB TT .param +toxn = 2.81E-09cjn = 1.376E-3cjswn = 2.06E-10+cjswgn = 5.0462E-10cgon = 3.85E-10rshn = 6.6 +dvthn = 0hdifn = 1.35E-07dwvthn = 0 +toxp = 2.85E-09cjp = 0 cjswp = 9.8E-11 +cjswgp = 4.53119E-10cgop = 2.7988E-10 rshp = 7.2 +dvthp = 0hdifp = 1.35E-07dwvthp = 0 +dxl = 0dxw = 0.0.lib lib.eldo MOS .ENDL TT Spice仿真模型文件(lib.eldo) .LIB MOS * *************************************************************** ** *1.2V NMOS DEVICES MODEL* ** *************************************************************** * .MODEL nmos.1NMOS ( LMIN= 8.00E-07-dxl +LMAX= 2.1E-05WMIN= 1.0005E-05-dxwWMAX= 0.000101 + LEVEL=53TNOM = 25VERSION = 3.2 +TOX= toxnTOXM= toxnXJ= 1.9E-07…… …… .ENDL MOS Spice仿真模型文件(lib.eldo) ***************** CORNER_LIB OF SNSP MODEL *************** .LIB SS .param +toxn = 2.877E-09cjn = 1.4448E-3cjswn = 2.163E-10+cjswgn = 5.2985E-10cgon = 3.6575E-10rshn = 6.6 +dvthn = 0.06hdifn = 1.35E-07dwvthn = 0 +toxp = 2.917E-09cjp = 0.001 cjswp = 10.29E-11 +cjswgp = 4.E-10 cgop = 2.65886E-10 rshp = 7.2 +dvthp = -0.045hdifp = 1.35E-07dwvthp = -5.005E-09 +dxl = 6.67E-09dxw = -3.5E-08 .lib lib.eldo MOS .ENDL SS Spice仿真模型文件(lib.eldo) .LIB TT_BIP*PNP 三极管模型 .LIB TT_BIP_NPN *NPN 三极管模型 .LIB DIO*二极管模型 .LIB TT_RES *