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迁移率的影响因素 少数载流子迁移率和多数载流子迁移率 1）杂质浓度较低时，多子和少子迁移率近似想等于μn； 2）杂质浓度较高时，多子和少子迁移率近似想等于μp； 3）当杂质浓度增大时，电子和空穴的多子少子迁移率都下降； 4）当杂质浓度固定时，电子和空穴的少子迁移率均大于同浓度下多子迁移率； 5）相同杂质浓度下少子迁移率与下多子迁移率的差别随浓度增大而增大。 5.4 电阻率与杂质浓度和温度的关系 5.5 强电场下的效应、热载流子 5.6 多能谷散射 * 第五章 半导体的导电性 主要内容 5.1 载流子的漂移运动和迁移率 5.2 载流子的散射 5.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 5.4 电阻率与杂质浓度和温度的关系 5.5 强电场效应、热载流子 5.6 多能谷效应 5.1 载流子的漂流运动 5.1 载流子的漂流运动——电流密度 2 漂移速度和迁移率 电流强度:单位时间内通过截面的电量. 迁移率 半导体的电导率 画出状态密度函数与载流子统计分布函数图 画出不同导电类型半导体的费米能级； 写出不同导电类型半导体的电中性条件； 写出简并的条件； 课后习题：7、8、11、14、15、16 漂移速度与载流子迁移率的关系 半导体电导率与迁移率关系 课后习题：1、2、3 5.2载流子的散射 半导体的散射 5.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 影响迁移率的因素 影响迁移率的因素 T=300K时，锗、硅、砷化镓中电子和空穴迁移率与杂质浓度的关系 *
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