第三章二极管的题目.doc

第三章 二极管 一、判断题 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） × PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） √ 二极管的四类理想模型分别是理想二极管模型、恒压模型、折线模型、小信号模型（ ）。 √ 掺入3价杂质元素形成的半导体叫N型半导体。（ ） × 掺入5价杂质元素形成的半导体叫N型半导体。（ ） √ N型半导体多子为电子，而P型半导体的少子为空穴（ ） × N型半导体多子为电子，而P型半导体的少子也是电子。（ ） √ PN结外加反向电压指N极电位比P极电位高。（ ） × PN结外加反向电压耗尽层变厚，扩散电流增加。（ ） × PN结外加反向电压耗尽层变厚，耗尽层变厚，扩散电流增加。（ ） √ Si二极管的正向导通电压比较Ge二极管的正向导通电压高。（ ） √ 二极管的反向击穿有两种，一种是齐纳击穿，另一种雪崩击穿，齐纳击穿时所需反压一般比较雪崩击穿时高。（ ） √ 二极管的齐纳击穿是可逆的。（ ） √ 二极管的热击穿是可逆的，而击电穿是不可逆。（ ） × 发光二极管正常工作时加正向偏置电压，而稳压二极管正常工作时一般加反向偏置电压。（ ） √ PN结外加反向电压势垒区变窄。（ ） × 二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。 （ ） √ 二极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。 （ ） √ 二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。 （ ） √ 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 （ ） √ 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ） × 二、填空题 当PN结外加反向电压时，耗尽层厚度将变＿＿＿＿，漂移电流的大小将＿＿＿。 厚，增加 纯净的半导体叫＿＿＿＿半导体。掺入3价杂质元素形成的半导体叫＿＿＿＿型 半导体，它主要靠＿＿＿＿导电。 本征，P型，空穴 掺杂半导体叫＿＿＿＿半导体。掺入5价杂质元素形成的半导体叫＿＿＿＿型 半导体，它主要靠＿＿＿＿导电。 本征，N型，电子 PN结正向偏置是指P区接电源的＿＿极、N区接电源的＿＿极。这时多子的作＿＿＿＿运动较强，PN结厚度变＿＿＿＿，结电阻较＿＿＿＿。 正，负，扩散，薄，小 当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度＿＿＿＿，因而少子漂移而形成的反向电流＿＿＿＿，二极管反向伏安特性曲线＿＿＿＿移。 增加，增大，下 半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的＿＿＿＿特性来实现的。 反向击穿 二极管P区接电位＿＿端，N区接电位＿＿端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有＿＿＿＿性。 高，低，单向 在本征半导体中掺入＿＿价元素得N型半导体，掺入＿＿价元素则得P型半导体。 5，3 PN结在＿＿＿＿时导通，＿＿＿＿时截止，这种特性称为＿＿＿＿。 正向偏置，反向偏置，单向导电性 光电二极管能将＿＿＿信号转换为＿＿＿信号，它工作时需加＿＿＿偏置电压。 光，电，反向 发光二极管能将＿＿＿信号转换为＿＿＿信号，它工作时需加＿＿＿偏置电压。 电，光，正向 二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，＿＿＿＿型二极管适用于高频、小电流的场合，＿＿＿＿型二极管适用于低频、大电流的场合。 点触型，面触型 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中＿＿＿＿是可逆的，而 会损坏二极管。 电击穿，热击穿 半导体中有＿＿＿＿和＿＿＿＿两种载流子参与导电，其中＿＿＿＿带正电，而＿＿＿＿带负电。 电子，空穴，空穴，电子 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成＿＿＿型半导体，其多子为＿＿＿，少子为＿＿＿＿。 N，电子，空穴 PN结正偏是指P区电位＿＿＿＿N区电位。 高于 温度升高时，二极管的导通电压＿＿＿＿，反向饱和电流＿＿＿＿。 降低，增加 普通二极管工作时通常要避免工作于＿＿＿＿，而稳压管通常工作于＿＿＿＿。 反向击穿状态，反向击穿状态 构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的＿＿＿＿方能实现稳压。 电阻 纯净的具有晶体结构的半导体称为＿＿＿＿，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为