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10、發光二极體(LED) 它是一种通以正向電流就會發光的二极体,它用某些自由電子和空穴复合時會產生光福射 普通亮度之發光二極體:正常發光電壓2.2V,例:3φ紅色 綠色 高量度之發光二極體:正常發光電壓1.7V,例:5φ紅色 七、三砐管 1、定義:在一塊極薄的硅或鍺基片上制作兩個PN結就構成三層半 導體,從三層半導體上各自接出一根引線,就是三極管的三個極, 再封裝在管殼里就制成三極管。 它是一種電流控制型電子器件。 2、三極管的三個極:三極管的三個極分別叫發射極(e)、基極(b)、集電極(c),對應的每層半導體分別稱集電區、發射區和基區 3、電路符號(按基區材料,可分為NPN型和PNP型). 我司多使用NPN型,如:STC945、E13007、TT2194、KSE13009、2SC3320等,PNP型如:8550、928、2907等 b c e b e c NPN型 PNP型 集電區N 基區P 發射區N 集電區P 基區N 發射區P 4、內部結構: NPN型 PNP型 圖中的箭頭表示電流的方向 Ic Ib Ie Ic Ib Ie 三極管是由三塊半導体組成,構成兩個PN結,即集電結和發射結,基結3個電極,分別是集電極,基極,發射極,管子中工作電流有集電極電流Ic,基極電流Ib,發射極電流Ie, Ie=Ib+Ic Ic=βIb, β為三極管電流放大倍數. 5、作用: 放大 我司用于放大的有STC945、PN2222、HPN2907等 開關 我司用于開闢的有E13007、D42406、KSE13009等 6、分類 (1)、按村材料分有硅管與鍺管等 (2)、按工作頻率分有高頻與低頻管 (3)、按耗散功率分有小功率管、中功率管及大功率管 (4)、按本體尺寸大小分有 TO-92(C945) TO-126(772、882) TO-220(E13007) TO-3P(13009、3320) 7、工作原理 E1 E1 E2 E2 Ue Ue Uc Uc Ub Ub Ic Ib2 Uce Ib1 Ib4 Ib3 Ib5 a. NPN型 b. PNP型 c. 三极管的輸出特性曲線 (1) 放大區 發射結正偏,集電結反偏,E1E2,即 NPN型三極管VcVbVe, PNP型三極管 VcVbVe.三極管處于放大狀態.由于Ic=βIb,即Ic受Ib控制,而Ic的電流能量是由電源提供的,此時Ube=0.6~0.7V(NPN硅管) (2) 截止區 Ib≦0的區域稱截止區,UBE0.5V時,三極開始截止,為了截止可靠,常使UBE≦0,即發射結零偏或反偏,截止時,集電結也反向偏置. (3) 飽和區 當VCEVBE,即集電結正向偏置,發射結正向偏置時,三極 管處于飽和區.飽和壓降UCE(sat),小功率硅管UCE(sat)≒0.3V,鍺管 UCE(sat)≒0.1V 8、識別晶體三極管NPN型與PNP型 (1) 本體直標法:AB代表PNP型 如:A733 B772 CD代表NPN型 如:C945 D882 (2) 用萬用表測量法 用萬用表兩極表筆分別對調測量晶體三只腳,當其中一腳與其它兩腳成單向導通,則該腳為基極。檢測出基極,注意萬用表表筆若為紅色(電表正端),則此三極管為NPN型,反之則為PNP型。 八、場效應管 場效應管是一種由輸入信號電壓來控制其輸出電流大小的半導 体三極管,是電壓控制器件,輸入電阻非常高. 場效應管有三極:珊極 (G)、源極 (S)、漏極 (D) 場效應管分為:結型場效應管(JFET)和絕緣珊場效應管(IGFET) 兩 大類. 1、結型場效應管 (1) 結型場效應管有N型和P型溝道兩種,電路符號如下 : s s d d g g N溝道型 P溝道型 (2) 工作原理 結型場效應管有兩個PN結,在珊源極上加一定電壓,在場效應 管內部會形成一個導電溝道,當d,s極間加上一定電壓時,電流就可 以從溝道中流過,即通過 源電壓來改變導電溝道電阻,實現對漏 極電流的控制. 2、絕緣珊場效應管 它是由金屬氧化物和半導体組成,故稱為MOSFET,簡稱MOS 管,其工作原理類似於結型場效應管.分為增強型与耗盡型 . 符號和極性 增強型 NMOS 增強型 PMOS g d
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