第六章第二相强化方案.ppt

第六章 第二相强化 目录 第一节 第二相强化机制的分类 第二节 沉淀强化机制 第三节 弥散强化机制 第四节 第二相粒子强化的特点 第一节 第二相强化机制的分类 一、第二相强化的概念 第二节 沉淀强化机制 可变形粒子的特点： 一、共格应变强化 二、化学强化作用 三、有序强化 四、模量强化 五、层错强化 六、派—纳（P-N）力强化 小结 第三节 弥散强化机制 一、Orawan公式 2.有效粒子尺寸的确定 二、Orawan公式的修正 三、Orawan公式的进一步修正 第四节 第二相粒子强化的特点 一、第二相粒子强化对材料塑性的影响 一、第二相粒子强化对材料塑性的影响 二、第二相粒子强化机制的利用 二、第二相粒子强化机制的利用 复习要点 * * 第二相强化：由于弥散分布于基体中的第二相粒子阻碍位错运动而引起的强化。 例如，Al合金时效硬化过程： 固溶+水淬+时效—— 欠时效： 峰时效： 过时效： 第二相强化机制就是要解释：为什么随着组织的变化，会产生性能的变化？ 第一节 第二相强化机制的分类 Al-Mg-Si 合金中的析出相和晶界无析出带 Al-Mg-Si合金性能随时效时间的变化 可变形粒子强化：位错切过第二相粒子所引起的强化作用（切过机制）， 与粒子特性有关； 不可变形粒子强化：位错绕过第二相粒子所引起的强化作用（绕过机制）， 与粒子特性无关； 二、第二相粒子 沉淀相粒子：合金时效析出的粒子； 弥散相粒子：人工加入的粒子（粉末冶金，内氧化法）； 可变形粒子：位错可切过的粒子（欠时效和峰时效析出的粒子）； 不可变形粒子：位错不可切过的粒子（过时效析出的粒子，弥散相粒子）； 三、强化机制 沉淀相强化：指析出相引起的强化，主要指欠时效和峰时效引起的强化； 弥散相强化：弥散相粒子产生的强化； 第一节 第二相强化机制的分类 （1）与基体共格； （2）位错可以切过。 （可变形粒子强化机制） 把第二相粒子视作一个错配球，其应力应变场与位错的弹性交互作用。 Al-Cu合金中的GP区 第二节 沉淀强化机制 或者： —常数； —常数，对于刃型位错=3，对于螺形位错=1； —共格切应变； —体积份数； —沉淀相粒子间距； —沉淀相粒子直径。 临界切应力（增量）： 化学强化作用着眼于位错切过第二相粒子后形成新界面所引起的强化。 化学强化机制对于薄片状析出相比较重要，因为位错切过会引起较大的表面积增量。 —沉淀相粒子半径。 —沉淀相体积份数； —界面能； 化学强化所引起的临界切应力（增量）可以表达为： 第二节 沉淀强化机制 —沉淀相体积份数； T —位错的线张力。 —反向畴界能； —位错柏氏矢量； —沉淀相粒子半径； 位错切过有序相粒子，产生APB（反向畴界），使系统能量升高而造成的强化。 沉淀相为金属间化合物时，呈现有序点阵结构，且与基体保持共格关系。 有序强化所引起的临界切应力（增量）为： 第二节 沉淀强化机制 第二相粒子的弹性模量与基体的弹性模量不同，使位错切过粒子时自身的能量发生了变化，从而引起的强化效应，称之为模量强化。 位错线进入硬粒子时，能量升高；位错线进入软粒子时，能量降低。 模量强化所导致的临界切应力（增量）为： 这种强化机制在Al-Li合金中起着重要作用。 —粒子的平均间距。 —软相（基体相）弹性模量； —硬相（强化相）弹性模量； —基体剪切模量； 第二节 沉淀强化机制 当沉淀相粒子中层错能远小于基体时，产生的临界切应力（增量）为： 层错强化主要适用于：密排点阵，以形成扩展位错； 沉淀相粒子与基体之间的层错能差异较大。 层错强化：第二相粒子的层错能与基体的层错能不同时，会引起扩展位错能量的改变， 产生运动的阻碍。 其中： ，为 角与 ； —扩展位错的平均宽度。 有关的系数； —扩展位错中部分位错的柏氏矢量； 第二节 沉淀强化机制 P-N力强化：第二相粒子的P-N力大于与基体的P-N力时引起位错运动阻力增大。 —位错柏氏矢量。 —沉淀相粒子的体积份数； —沉淀相粒子的直径； —沉淀相粒子的强度； —基体相的强度； —基体剪切模量； P-N力强化所产生的临界切应力（增量）为： 强化效果正比于沉淀相与基体的强度差。 第二节 沉淀强化机制 总体上来说，以上六种强化为可变形粒子有可能引起的基本强化机制。对于不同体系而言，可能是其中的一种或两种起作用。而且体积份数越大，尺寸