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《模拟电子技术》复习题
填空题
半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 、 、 ;其电阻率分别受 、 、 的增加而 。
用于制造半导体器件的材料通常是 、 和砷化镓。
当外界温度、光照等变化时,半导体材料的 能力会发生很大的变化。
纯净的、不含杂质的半导体,称为 。
在N型半导体中如果掺入足够量的价元素,可将其改型为P型半导体。P型半导体。
杂质半导体分 和 两大类。
N型半导体多数载流子是 ,少数载流子是 。P型半导体多数载流子是 ,少数载流子是 。
杂质半导体中,多数载流子浓度主要取决于 ,而少数载流子则与(( (((有很大关系。
PN结的主要特性是 。
PN结是多数载流子的 运动和少数载流子的 运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为 或 。
PN结加正向电压时,空间电荷区变 ;PN结加反向电压时,空间电荷区变 。
PN结在无光照、无外加电压时,结电流为。PN结PN结PN结UZ时,它才能产生稳压作用。
双极型三极管有 种极性的载流子参与导电;场效应管有 种极性的载流子参与导电。
三极管个电极电流的分配关系是IE= 。
三极管有( (型和(( ((型,前者在电路中使用的符号是((((((,后者在电路中使用的符号是((((((((。
晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是:发射区需 掺杂,基区宽度要 ;外部条件是:发射结要 偏置,集电结要 偏置。
处于放大状态的三极管IC与IB的关系是( (;处于饱和状态的三极管IC不受IB的控制, (了放大作用;处在截止状态的三极管IC( ((。
当NPN锗管工作在放大区时,在E、B、C三个电极中,以 电位最高,( (的电位最低;UBEQ约等于 。
当PNP型硅三极管处于放大状态时,在E、B、C三个电极中,以( (极电位最高,( (极的电位最低。
三极管的反向饱和电流ICBO随温度的升高而( ((,穿透电流ICEO随温度升高而(( ((,UBE随温度的升高而(( ((,(值随温度的升高而( (((。
三极管的三个主要极限参数是(( ((、(((( (((和( ((((。
三极管有三个电极,分别是 、 和 。
用直流电压表测得某放大器中NPN型三极管的三个极对地的电位分别为VB=+10.7V, VC=+10.3V, VE=+10V,则该管工作在( (区。
用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+3.1V, VB=+2.9V, VC=-2V,则从材料看为 管,从结构上看为 型管,且A为((( 极,B为 极,C为 极。
用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+6.3V,则从材料看为 管,从结构上看为((( 型管,且A为 ((( 极,B为 极,C为 极。
用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+2.5V,则从材料看为 管,从结构上看为 ((( 型管,且A为 ((( 极,B为 ((( 极,C为 ((( 极。
在放大状态下,三极管的1,2,3三个电极的电流分别为I1=1.5mA,I2=30(A,I3=1.53mA,则电极 为集电极,电极 ( 为基极,电极 (( 为发射极。(= (( ,(= ((( 。
从输出特性上分析单级PNP管组成的放大电路,如果静态工作点在负载线上设置偏高,有可能导致(((((( 失真,从示波器上看输出电压波形是((( 失真;工作点设置偏低,则有可能导致((( 失真。
交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的((( 量,而放大电路设置静态工作点
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