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hal320差分霍尔效应传感器1.介绍hal320是cmos工艺生产的.docVIP

hal320差分霍尔效应传感器1.介绍hal320是cmos工艺生产的.doc

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HAL320 差分霍尔效应传感器 1. 介绍 HAL320 是CMOS工艺生产的差分霍尔开关。传感器内部包括2个温度补偿的霍尔盘(间距2.25mm),具有有效偏置补偿、带施密特触发器的差分放大器和一个开漏输出的晶体管。 HAL320是一个差分传感器,它能响应磁场的空间差异,两个霍尔盘(S1,S2)上的霍尔电压被一个差分放大器放大,差分信号与内部施密特触发器的实际开关水平比较,然后,驱动晶体管的开关。 传感器具有双极开关特性,需要正和负值来实现正确的操作ΔB = BS1 – BS2 产生ΔB主要有两个方法: 旋转一个多极的圆环在传感器的封装前(适用HAL300) 背装应用: 在传感器封装后安装一个磁体,在两个霍尔盘上产生后偏置的磁场。差分信号ΔB通过旋转的铁磁性目标调制后偏置的磁场。(适用HAL320) 有效的偏置补偿保证在整个供电范围内和温度内保持不变的磁特性。 传感器为工业和汽车电子应用设计,工作4.5 V 到 24 V环境温度–40 °C 到 150 °C。 HAL320主要应用于:轮速、点火正时、ABS、在极端的汽车和工业环境下旋转计数。 1.1.主要特征 两个霍尔盘间距:2.25 mm 工作电压4.5 V to 24 V 过压保护 VDD-pin反向电压保护 通过温度关断实现输出短路保护 工作磁场:直流 to 10 kHz 输出变低随封装前南极磁场强度变化,S1的磁通大于S2的磁通 片上温度补偿电路使得磁参数受温度和供电影响的偏移最小 由温升引起的磁通密度的减少可以内置负温度系数磁滞损失系数进行补偿 EMC 符合 ISO 7637标准 1.2. 标记代码 所有霍尔传感器在封装表面有一个标记,标记包含了传感器名和温度范围。 1.3. 工作节点温度范围 (TJ) The Hall sensors from Micronas are specified to the chip temperature (junction temperature TJ). HAL320只有A温度范围 A: TJ = –40 °C to +170 °C 1.4. 霍尔传感器代码 HALXXXPA-T 温度范围: A 封装: SF-SOT89B-2 UA-TO92UA 型号: 320 举例:HAL320UA-A 型号:320 封装:TO92UA 温度:TJ = –40℃ to +170℃ 1.5. 可焊性 所有分装焊接符合IEC68-2-58标准 手工和回流焊接的最高温度为260℃ 1.6. 管脚 2. 功能描述 HAL320是个单片集成电路,有两个间距为2.25mm的霍尔盘,它随一个差分磁场而开关。如果磁力线与敏感面正交,霍尔盘产生与磁场成比例的霍尔电压。霍尔电压与实际门限电压比较。温度依耐偏执增加霍尔的供电电压和调整。在高温时温度依赖偏置增加霍尔盘电压并调整开关点减少磁场的感应。如果不同的磁通超过域值水平开路输出开关相应位置。迟滞电路消除摆动并提供没有摆动的稳定输出。 Magnetic offset caused by mechanical stress at the Hall plates is compensated for by using the “switching offset compensation technique”: An internal oscillator provides a two phase clock (see Fig. 2–2). The difference of the Hall voltages is sampled at the end of the first phase. At the end of the second phase, both sampled differential Hall voltages are averaged and compared with the actual switching point. Subsequently, the open drain output switches to the appropriate state. The amount of time that elapses from crossing the magnetic switch level to the actual switching of the output can vary between zero and 1/fosc. Shunt protection devices clamp voltage peaks at the Output-Pin and VDD-Pin togethe

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