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1 第一章 半导体材料及二极管 1.2 PN结 问题:将P型半导体与N型半导体制作在同一硅片或锗片上,在交界面会出现什么现象呢? 1.2.1 PN结的形成及特点 2.PN结的特点 空间电荷层是非中性区 耗尽层 阻挡层 势垒层 1.2.2 PN结的单向导电特性 偏置:PN结两端外接直流电压称为偏置 正向偏置 反向偏置 若PN结外加直流电压使P区电位高于N区电位,称PN结加正向电压或正向偏置(简称正偏)。 PN结正偏时空间层和势垒的变化及正向电流方向如图 : 若外加直流电压使P区电位低于N区电位,称PN结加反向电压或反向偏置(简称反偏)。 反偏时PN结仅有很小的反向饱和电流。 PN结具有单向导电特性:正偏导通,反偏截止 1.PN结的形成 空间电荷区 内建电场 扩散电流和漂移电流相等,达到动态平衡,PN结即形成。 图1.7 PN结的形成 1.正向偏置的PN结 图1.9 正偏PN 结的等效电路 (a)内部结构示意图 (b)实用电路图 2.反向偏置的PN结 图1.10 反偏PN结的等效电路 (a)内部结构示意图 (b)实用电路图 3.PN结的伏安特性 v—正偏电压,为负值时即反偏。 i—从阳极经过PN结流向阴极的电流,与v为关联参考方向。 (1.13) (1.14) (1.15) PN结具有单向导电性 * * * *
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