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第一章:半导体二极管 1.1 半导体的基本知识 1.1 半导体的基本知识 * * 1.2 二极管特性与参数 电量与符号表示 交流量 直流量 瞬时值 有效值或最大值 一、半导体材料与本征半导体 1. 材料 硅 锗 2. 本征半导体 非常纯净的半导体材料 纯净度 99.9999999% 3. 导电特性 a. b. 受光照和温升影响较大 排列有序的晶体结构 b. 受光照和温升影响较大 一、半导体材料与本征半导体 1. 材料 2. 本征半导体 3. 导电特性 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 电子 空穴 电子-空穴对 此现象称为本征激发 给半导体两端加电后，将会有电流产生，这一电流被称之为漂移电流 当半导体材料不变时，该电流的大小与温度成 正比关系，因此该电流也被称之为饱和电流。 二、杂质半导体 一、半导体材料与本征半导体 1. 材料 2. 本征半导体 3. 导电特性 结果发现，掺杂是提高导电性能最有效的办法，掺杂百万分之一，导电性能提高一百万倍。 1. N型半导体 2. P型半导体 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +4 +4 +4 电子带一个单位的负电荷 Negative + + + + + + + + + +4 +4 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴带一个单位的正电荷 Plus - - - - - - - - - 施主离子 受主离子 三、PN结 一、半导体材料与本征半导体 二、杂质半导体 1. N型半导体 2. P型半导体 1. PN结的形成 扩散现象 - - - - - - - - - P + + + + + + + + + N _ + 漂移电流 平衡稳定状态 耗尽层 阻挡层 三、PN结 一、半导体材料与本征半导体 二、杂质半导体 2. PN结的单向导电性 _ + - - - - - - - - - P + + + + + + + + + N 三、PN结 1. PN结的形成 内电场变窄 导通 电压 正向偏置 正向偏置时, PN端压较低, 电流较大, 显导通状态! 三、PN结 一、半导体材料与本征半导体 二、杂质半导体 2. PN结的单向导电性 _ + - - - - - - - - - P + + + + + + + + + N 三、PN结 1. PN结的形成 内电场变宽 端压高 反向偏置 反向偏置时, PN端压较高, 电流很小IS, 显截止状态! 1. 符号表示与结构分类 第1章: 半导体二极管 1.1 半导体的基本知识 1.2 二极管特性与主要参数 2. 二极管的伏安特性 b. 伏压特性曲线 a. 理论结果 0.2V 0.1-0.3V 0.1V 锗 0.7V 0.6-0.8V 0.5V 硅 导通电压的工程值UD(on) 导通电压 门限电压 材料
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