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《7集成电路版图设计.ppt

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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 有源层电阻(续) P+扩散分别与有源区形成P+有源层电阻。有源层通过接触孔与第一层金属连接,金属构成有源层电阻的两个电极。 P+有源层电阻的方块电阻值为153.4欧姆,每个接触孔形成的电阻为118.5欧姆。电阻一般为几百到几千欧姆。 P+有源层电阻俯视图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 阱区电阻 为了引出N阱电阻的两个电极,在N阱中进行N+扩散,该扩散区与有源层形成N型有源区,有源区再通过接触孔和金属连接形成欧姆接触,金属构成了电阻的两个电极。 N阱电阻的方块电阻值为1011欧姆,该电阻一般在几kΩ到几百kΩ。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 电容(Capacitance) TSMC_0.35?m工艺制作的电容是一种结构简单的MIM电容,该电容由三层介质组成: 导电层作为下电极 绝缘层作为平板电容两电极间的介质 导电层作为上电极 电容计算公式 其中,area是两导电层重叠区域的面积,Carea[fF/?m2]是单位有效面积的电容量, perimeter 是两导电层重叠区域的周长,Cfringe[fF/?m]是单位长度电容量。电容的可变参数为:两导电层重叠区域一边的长度(y[λ])、电容值(Ctotal[F])。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 互连(Interconnect) 在TSMC_0.35?m的集成电路工艺流程中,不同导电层之间由绝缘介质隔离。导电层之间的相互连接需要通过打孔实现。 有源层、多晶硅(Poly)和第二层多晶硅(Electrode)都通过接触孔(Contact) 与第一层金属(Metal1) 连接。 (a)多晶硅和第一层金属 (b) 第一和第二层金属 (c) 第二和第三层金属连接的俯视图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 焊盘(Pad) 电路的输入和输出需要通过适当的导体结构(焊盘)来实现与外部电路的连接,它同时用于电路的在芯片测试。焊盘的尺寸通常远大于电路中其它的元器件,焊盘的尺寸是固定的。 焊盘 的俯视图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 7.1 工艺流程定义 7.2 版图几何设计规则 7.3 图元 7.4 电学设计规则 7.5 布线规则 7.6 版图设计 7.7 版图检查 7.8 版图数据提交 第7章 版图设计 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2007-10-18 7.4 电学设计规则 电学设计规则给出的是将具体的工艺参数及其结果抽象出的电学参数,是电路与系统设计、模拟的依据。 几何设计规则是图形编辑的依据 电学设计规则是分析计算的依据 几何设计规则是设计系统生成版图和检查版图错误的依据 电学设计规则是设计系统预测电路性能(仿真)的依据。 * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 电学设计规则描述 衬底电阻 掺杂区薄层电阻 多晶硅薄层电阻 接触电阻 电容(单位面积电容) 综合参数 阈值电压 击穿电压 导电因子 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile

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