《MOS器件物理.ppt

温度效应 上式一直为负值，即阈值电压随温度上升而下降。 对于PMOS管则dVth/dT总为正值，即阈值电压随温度的上升而增大。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. MOS管的电特性－输出特性（I/V特性） 饱和区：VDS≥VGS－Vth： 漏极电流并不是随VDS增大而无限增大的，在VDS＞VGS－Vth时，MOS管进入饱和区：此时在沟道中发生了夹断现象。 萨氏方程两边对VDS求导，可求出当VDS＝VGS－Vth时，电流有最大值，其值为： 　　 这就是饱和萨氏方程。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. MOS管的电特性－输出特性（I/V特性） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 转移特性曲线 在一个固定的VDS下的MOS管饱和区的漏极电流与栅源电压之间的关系称为MOS管的转移特性。 转移特性的另一种表示方式 增强型NMOS转移特性 耗尽型NMOS转移特性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 转移特性曲线 在实际应用中，生产厂商经常为设计者提供的参数中，经常给出的是在零电流下的开启电压 注意 ，Vth0为无衬偏时的开启电压，而 是在与VGS特性曲线中与VGS轴的交点电压，实际上为零电流的栅电压 从物理意义上而言， 为沟道刚反型时的栅电压，仅与沟道浓度、氧化层电荷等有关；而Vth0与人为定义开启后的IDS有关。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 转移特性曲线 从转移特性曲线可以得到导电因子KN（或KP），根据饱和萨氏方程可知： 　　　　　　　　　　　　　　　　　　 即有： 所以KN即为转移特性曲线的斜率。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. MOS管的直流导通电阻 定义：MOS管的直流导通电阻是指漏源电压与漏源电流之比。 饱和区： 线性区： 深三极管区： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 饱和区MOS管的跨导与导纳 工作在饱和区的MOS管可等效为一压控电流源，故可用跨导gm来表示MOS管的电压转变电流的能力，跨导越大则表示该MOS管越灵敏，在同样的过驱动电压（VGS－Vth）下能引起更大的电流，根据定义，跨导为漏源电压一定时，漏极电流随栅源电压的变化率，即： 饱和区跨导的倒数等于深三极管区的导通电阻Ron Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 饱和区MOS管的跨导与导纳 讨论1： 在KN（KP）为常数（W/L为常数）时，跨导与过驱动电压成正比，或与漏极电流ID的平方根成正比。 若漏极电流ID恒定时，则跨导与过驱动电压成反比，而与KN的平方根成正比。 为了提高跨导，可以通过增大KN（增大宽长比，增大Cox等），也可以通过增大ID来实现，但以增大宽长比为最有效。 Evaluation only. Created with Aspo