FQC-W-200LEDCHIP检验规范.doc

1. 目的 1.1 制訂LED CHIP FQC檢驗規範。 1.2 訂定成品入庫批允收程序，以確保產品品質達一定水準。 2. 範圍 本公司生產之所有LED產品均屬之。 3. 內容 3.1 檢驗測試項目 3.1.1 光電性檢驗 3.1.2 外觀檢驗 數值標示檢驗。 3.2 抽樣計畫（片數定義：晶片片數） 3.2.1 依「產品檢驗抽樣計劃」(WI-20-0101) 抽片執行檢驗。 3.2.2 光電特性檢驗（VFH、VFL、IV） （1）抽樣位置：分頁片邊緣4顆，分頁片內圍6顆，均勻取樣。 （2）抽樣數量：每片10顆。 （3）每片抽樣數，每一顆不良，則列一個缺點。 3.2.3 外觀檢驗 （1）PS TYPE不良晶粒＞2ea／sheet，列入一個缺點。 （2）NS TYPE或PS TYPE分頁面積最長距離＜6.5 cm者，不良晶粒＞ 5ea／sheet，且＞10 ea／wafer 列入一個缺點。 （3）缺點項目之限樣標準由製造、FQC兩單位共同製作，作為人員檢驗之依據。 3.3 缺點等級代字 3.3.1 主要缺點代字：MA（Major）。 3.3.2 次要缺點代字：MI（Minor）。 3.4 參考文件 3.4.1 本公司產品目錄規格書 3.4.2 研發工程產品測試分類規格 3.4.3 其他相關之品質文件 4. 光電特性檢驗 4.1 順向電壓VFH 4.1.1 依特定之額定電流點測，須低於規格上限。 4.1.2 規格上限應參考測試分類規格及GaP、GaAsP、AlGaAs產品T/S前測站 作業指導書。 4.1.3 缺點等級：MA 4.2 順向電壓VFL 4.2.1 依特定之額定電流點測，須高於規格下限，低於上限。 4.2.2 規格：GaP≧1.5V，GaAsP≧1.3V，AlGaAs (1.25≦VFL≦1.5V)，IR (0.70~1.0 V)。 4.2.3 缺點等級：MI 4.3 亮度Iv / Po 4.3.1 依特定之額定電流點測，須高於規格下限。 規格下限應參考測試分類規格及各產品T/S前測站作業指導書判定。 缺點等級：MA 5. 外觀檢驗﹙共同標準﹚ 檢驗項目 說 明 圖 示 缺點等級 5.1 晶粒厚度 5.1.1 同一晶片晶粒厚度差≦2 mil 5.1.2 UR同一晶片晶粒厚度差≦3 mil MA 5.2 正面電極 5.2.1 電極中心點1/3半徑範圍內，不得有任何異常 (不含刮傷) 電極 R/3 MA 5.2.2 電極破損、鋁泡（金泡）、非化學藥水污染(沾膠 、雜物、矽膠粒、Ink…)、重工造成之金屬殘印子 (如殘鈦)面積應≦1/5原電極面積。 MA 5.2.3 電極刮傷自動用PS應≦1/5原電極面積 材質：AlGaInP適用 MA 5.2.4 電極擴大縮小：0.9倍＜原訂值φ＜1.1倍 MA 5.2.5 二道偏移應≦1.1倍 MI 5.2.6 電極偏移 a/b≦2/1 MA 5.2.7 電極不得有鋁黃、 藥水污染 MA 5.2.8 自動用PS電極不得有粗糙程度不一致影響機器辨視 MA 5.2.9 長腳電極斷裂應≦1隻腳面積 Power Chip(524,540相關產品)Pad不可形成掉腳 MA 5.2.10 長腳電極縮小寬度(B)應≦1/2原寬度(A) A B MA 5.3 正面晶粒 5.3.1 晶粒污染、沾膠、藥水殘需≦1/5 發光區面積 MA 5.3.2 全切晶粒未切穿者不作PS （半切晶粒及手動用NS之未切穿面積應≦1/5 原晶粒面積） MA 5.3.3 晶粒切割內斜需≦1/10 原晶粒面積 MA 5.3.4 晶粒不得為長方形 |b/a|≧90% b a MA 檢驗項目 說 明 圖 示 缺點等級 5.3 正面晶粒 5.3.5 電極周圍未粗化到的月眉形區域，最寬處須 ≦1 mil MA 5.3.6 發光區傷到面積 ?自動用(PS)應≦1/5發光區面積 ?手動用(NS)A/B≦2/1