《Sputter基本原理培训.ppt

目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第五章 溅射镀膜设备 第六章 溅射靶及靶材配置 * 第四章 反应性溅射 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第四章 反应性溅射 * 在溅射镀膜时， 有意识地将某种反应性气体引入溅射室并达到一定的分压， 即可改变或控制沉积特性， 从而获得不同于靶材的新物质薄膜，这就叫反应性溅射； 通入不同的反应气体就可以得到不同的沉积膜层： 通入氧气可以形成氧化膜； 通入氮气可以形成氮化膜； 通入甲烷（CH4）可以形成碳化物膜； 通入硫化氢（H2S）可以形成硫化物膜； 反应性溅射： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第四章 反应性溅射 * Pumping system target Power supply substrate Gas ArO2 _电场 +电场 Ar+ O- Zn （Zn） 反应性溅射： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第四章 反应性溅射 第六章 溅射靶及靶材配置 * 第五章 溅射镀膜设备 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第五章 溅射镀膜设备 * 5-1 溅射镀膜设备 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第五章 溅射镀膜设备 * 5-2 溅射镀膜设备示意图 C1 C2 C3 C6 C5 1 6 5 4 3 2 7 8 AZO Ag预留 Al Al NiV C7 各个腔室底压要求： 上下料腔室底压：C1/C7≤ 1 x 10-3 mbar 缓冲腔室底压 ：C2/C6≤ 3 x 10-6 mbar 传输腔室底压 ：C3/C5≤ 1.5 x 10-6 mbar 工艺腔室底压 ：C4/1?C4/8≤ 1.5 x 10-6 mbar Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第四章 反应性溅射 第五章 溅射镀膜设备 * 第六章 溅射靶及靶材配置 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第六章 溅射靶及靶材的配置 * 6-1 平面靶 6-2 圆柱靶 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第六章 溅射靶材及靶材的配置 * 圆柱靶与平面靶利用率比较 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第六章 溅射靶材及靶材的配置 * 6-3 靶材配置示意图 C1 C2 C3 C6 C5 1 6 5 4 3 2 7 8 AZO Ag预留 Al Al NiV C7 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for