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2.7 金属蚀刻 Metal Etch 金属蚀刻用于制作芯片中的金属导线。 导线的形状由Photo制作出来。 这部分工作也使用等离子体完成。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.8 薄膜生长 金属沉积 Metal Deposition 铜制程沉积 Copper Deposition 化学气相沉积 Chemical Vapor Deposition Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Metal Deposition 一般来说，采用Physical Vapor Deposition (PVD；物理气相沉积)的方法制作金属薄膜。 这里面的金属薄膜包括：Aluminum(铝), Gold (金) and Tungsten(钨)。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 金属层用于在半导体元器件中制造通路，当然，离不开Photo的配合。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Copper Deposition 通常，半导体器件中的导线采用的是铝。 铜导线比铝导线具有更多的优越性。 铜导线电阻比铝导线小40%，这样采用铜导线的器件要快15%。 铜导线不易因为ESD而导致器件破坏。它能够承受更强的电流。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 采用铜导线的困难： 当铜和硅接触的时候，会在硅中发生非常快速的扩散。 这种扩散还将改变制作在硅上面半导体三极管的电学特性，导致三极管失效。 IBM最终克服了这些困难(Damascene)： 采用先做绝缘层，再做铜导线层的方法解决扩散问题。 在制作铜导线层的时候，IBM采用一种铜的多晶体，进一步限制铜在硅中的扩散。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 半导体制程简介 ——芯片是如何制作出来的 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 基本过程 晶园制作 Wafer Creation 芯片制作 Chip Creation 后封装 Chip Packaging Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第1部分 晶园制作 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.1 多晶生成 Poly Silicon Creation 1 目前半导体制程所使用的主要原料就是晶园(Wafer)，它的主要成分为硅(Si)。 富含硅的物质非常普遍，就是沙子(Sand)，它的主要成分为二氧化硅(SiO2)。 沙子经过初步的提炼，获得具有一定纯度的硅，再经过一些步骤提高
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