MSP430F149的存储器结构及FLASH读写.doc

MSP430F149的存储器结构及FLASH读写 1????? 概述 1.1 FLASH特点 ??? 写操作只能将1改写为0，不能将0改写成1。FLASH擦除后所有单元变为1，擦除操作只能针对整个段。FLASH在擦除前不能被改写。 1.2 MSP430F149存储器编址方式 ?? ?MSP430F149的ROM为60K+256B的FLASH,RAM为2K。MSP430存储器采用冯诺依曼结构，RAM和ROM合在一起编址。MSP430F149内部集成有FLASH控制器，可以简化对FLASH的操作。 ??? 64K的寻址空间分为RAM、FLASH。 ??? RAM分两块： 1、寄存器（0000H-01FFH），存放特殊寄存器、设备寄存器、变量与堆栈。 2、数据RAM(01FFH-),存放各种变量、中间结果、堆栈。 ??? FLASH分两块： 1、主FLASH 一般用于存放程序代码。 2、信息FLASH(InfoFlash)用作掉电后保存少量数据。分为InfoA(0X1080-0X10FF)和InfoB(0X1000-0X1080)，每段各128B。 1.3 操作 ? 三种操作：读取、擦除（只能针对段擦除）、写入（可以写入单个字节）。 2使用方法 2.1 程序架构 ??? 读取FLASH方法和读取RAM方法相同。写和擦除FLASH要进行如下配置： 配置寄存器 制定指针地址 写数据/复制数据 配置寄存器 2.2 参数配置 ??? 主要配置三个寄存器FCTL1，FCTL2，FCTL3。 ??? 1、配置FLASH控制器时钟。时钟要求控制在250-470Khz之间。 FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0;? //2分频 ??? 2、用指针指向地址Unsigned char *ptr= (unsigned char *) 0x1080; ??? 3、进入写模式或擦除模式FCTL1=FWKEY+WRT;或FCTL1=FWKEY+ERASE ??? 4、清除锁定位 FCTL3=FWKEY; 5、写数据 *ptr=0x30;或擦除*ptr=0； 6、退出写状态，恢复锁存 FCTL1=FWKEY; FCTL3=FWKEY+LOCK; 2.3 说明 ??? 上电FLASH默认状态是读。为防止错误操作，FLASH的三个寄存器FCTLX都采用了密码核对机制FWKEY。 ??? 上电时FLASH的InfoFLASH区域值均为1，可直接进行写操作，但此后的写操作必须先擦除才能正确写入。 MSP430系列单片机FLASH擦写典型次数是10万次，最低保证1万次。产品设计初期要规划好FLASH的寿命，尽量不让某些需要频繁改动的数据保存在FLASH中，这些数据可保存在RAM中，在断电前才存入FLASH中。 3相关寄存器 1、FCTL2 FWKEY Bits 15-8 FCTLx password. Always read as 096h. Must be written as 0A5h or a PUC will be generated. FSSELx Bits 7?6 Flash controller clock source select 00 ACLK 01 MCLK 10 SMCLK 11 SMCLK FNx Bits 5-0 Flash controller clock divider. These six bits select the divider for the flash controller clock. The divisor value is FNx + 1. For example, when FNx=00h, the divisor is 1. When FNx=03Fh the divisor is 64. FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0; 2、FCTL1 FWKEY Bits 15-8 FCTLx password. Always read as 096h. Must be written as 0A5h or a PUC will be generated. MERAS ERASE Bit 2 Bit 1 Mass erase and erase. These bits are used together to select the erase mode. MERAS and ERASE are automatically reset when EMEX is set. MERAS ERASE Erase Cycle 0 0 No erase 0 1 Erase individual segment only 1 0 Erase all main memory segments 1