《信号转换I模拟开关采样保持电路.pptVIP

* P沟道增强型MOSFET开关（绝缘栅型） P沟道增强型MOSFET衬底B接高电位才能正常工作 VGS小于VT的绝对值, 场效应管不能导通。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * CMOS开关电路：将一个P沟道、N沟道的增强型MOSFET并联构成 当uGN=+E, uGP=-E，两管均导通； 当uGP=+E, uGN=-E，两管均截止； 两管Ron变化特性相反，可以互补，等效电阻恒定 CMOS开关电路 Ron—ui特性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 静态特性：主要指开关导通和断开时输入端与输出端之间的电阻Ron和Roff,此外还有最大开关电压、最大开关电流和驱动功耗等。 （三）、模拟开关的性能参数 动态特性：开关动作延迟时间，包括开关导通延迟时间Ton和开关截止延迟时间Toff, 通常TonToff, 理想模拟开关时Ton→0，Toff→0 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 元件性能的影响和要求 为了得到高质量的采样保持电路，场效应模拟开关的速度应快，极间电容，夹断电压或开启电压，导通电阻和反向漏电流等参数都应小。 实际的场效应模拟开关模型 1 当闭合时,相当一个小电阻 (如DG403, RON30欧姆) 2 当断开时,相当一个小的电容 (如DG403;约0.5PF) 3 当断开时,还存在一定量的泄漏电流(DG403;0.5NA) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * MOS开关 MOS采样电路 采样模式时的等效电路 ＭＯＳ开关在“开”状态，存在一定的电阻； 　　 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 选用介质吸附效应小和泄漏电阻大的电容器，如聚苯乙烯，钽电容和聚碳酸脂电容器等。 模拟开关中存储电容的性能要求 当电路从采样转到保持（充电结束时），介质的吸附效应会使电容器上的电压下降，被保持的电压低于采样转保持瞬间的输入电压； 开关接通时，电容放电，介质吸附效应会使放电后的电容电压回升，引起小信号峰值的误差。 电容器的泄漏电阻引起电容上的保持电压随时间逐渐减小，降低保持精度 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 介质的吸附效应：在实际电容器中，电容器介质的偶极子及其界面极化的形成和消失都不可能瞬时实现，往往需要一定的时间，因而使电介质常数随信号频率和环境温度变化，不能视为常数 实际电容器的仿真模型如右图所示，图中C为理想电容值，R0为电容器的泄漏电阻，其余的阻容网络为则为介质吸附效应的仿真。 C的充电速度大于C1的充电速度， UcUc1。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 采样保持电路的性能参数 捕捉时间：从发出采样指令的时刻起，直到输出信号稳定地跟踪上输入信号为止，所需的时间定义为捕捉时间. 关断时间: 从发出保持指令地时刻起，直到输出信号稳定下来为止，所需的时间定义为关断时间 捕捉时间长，电路的跟踪特性差;关断时间长，电路的保持特性不好，它们限制了电路的工作速度。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client P