《半导体CMP工艺介绍.ppt

FY Chang/CMP Introduction of CMP 化学机械抛光制程简介 （Chemical Mechanical Polishing-CMP) 目录 CMP的发展史 CMP简介 为什么要有CMP制程 CMP的应用 CMP的耗材 CMP Mirra-Mesa 机台简况 CMP 发展史 1983: CMP制程由IBM发明。 1986: 氧化硅CMP （Oxide-CMP）开始试行。 1988: 金属钨CMP（W CMP）试行。 1992: CMP 开始出现在 SIA Roadmap。 1994: 台湾的半导体生产厂第一次开始将化学机械研磨应用于生产中。 1998: IBM 首次使用铜制程CMP。 CMP制程的全貌简介 CMP 机台的基本构造 (I) CMP 机台的基本构造(II) Mirra 机台概貌 F-Rex200 机台概貌 终点探测图 （STI CMP endpoint profile） 为什么要做化学机械抛光 （Why CMP）? 没有平坦化之前芯片的表面形态 没有平坦化情况下的PHOTO 各种不同的平坦化状况 Step Height（高低落差） Local Planarity（局部平坦化过程） 初始形貌对平坦化的影响 CMP 制程的应用 前段制程中的应用 Shallow trench isolation (STI-CMP) 后段制程中的应用 Pre-meal dielectric planarization (ILD-CMP) Inter-metal dielectric planarization (IMD-CMP) Contact/Via formation (W-CMP) Dual Damascene (Cu-CMP) 另外还有Poly-CMP, RGPO-CMP等。 什么是STI CMP? 所谓STI（Shallow Trench Isolation），即浅沟槽隔离技术，它的作用是用氧化层来隔开各个门电路（GATE），使各门电路之间互不导通。STI CMP主要就是将wafer表面的氧化层磨平，最后停在SIN上面。 STI CMP的前一站是CVD区，后一站是WET区。 ROUGH POLY CMP 流程-2b CMP耗材 CMP Mirra-Mesa 机台简况 Introduction of CMP FABS MIRRA MESA Mirra-Mesa 机台外观-侧面 SMIF POD WET ROBOT Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Introduction of CMP Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Introduction of CMP Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Introduction of CMP Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 压力pressure 平台Platform 研磨垫Pad 芯片Wafer 研磨液Slurry Wafer carrier 终点探测 Endpoint Detection 钻石整理器 Diamond Conditioner Introduction of CMP Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Introduction of CMP Evaluation only