功率MOSFET管驱动变压器设计..docx

功率MOSFET管驱动变压器设计[导读]摘要：对具有驱动变压器的功率MOSFET管驱动电路的动态过程进行了分析，推导了驱动变压器设计参数（绕组电流有效值，变压器功率）的计算方法，定量分析了变压器漏感和电路杂散电感对开通过程的影响，并通过仿真和试验证了这套计算方法的正确性。1 引言作为开关电源的开关器件，功率MOSFET管具有开关速度快、工作频率高的特点，适用于高频开关电路。此外，在并联使用时，由于MOSFET管具有正温度系数，可以自动均流，无需均流电路，方便扩流，这也是目前其他功率开关器件不可替代的优点[1]。为了加速开通，减少损耗，对MOSFET管的驱动电路的基本要求是内阻要小，驱动电压尽量高（但不能超过栅-源击穿电压）；为了加速关断，应给输入电容提供低阻放电通道；为了抑制高频振荡，栅极引线尽量短，减少线路分布参数；为了防止静电感应导致栅极电压上升引起误导通，栅极不允许开路，大功率MOSFET管截止时，栅极最好施加负电压[2]。MOSFET管的驱动电路有多种形式，可以用TTL电平直接驱动，但更多采用隔离驱动，在驱动信号输出端与MOSFET管栅极之间用光耦或磁耦实现与主电路电隔离。驱动变压器是常用的磁耦元件，起到传输驱动信号和功率的作用。设计合理的驱动变压器，不仅可以提高MOSFET管开关性能，而且体积小、重量轻，成本低。2 MOSFET管内部电容与变压器驱动栅极电路2.1 内部电容MOSFET管内部电容，也称极间电容，是栅极、源极、漏极之间的寄生电容。开关电源最常用N沟道增强型MOSFET管[3]，内部电容分别为：栅-源极间电容Cgs，栅-漏极间电容Cgd，漏-源极间电容Cds，如图1[1,3]。与漏-源短路条件下小信号输入电容Ciss的关系：Ciss=Cgs+Cgd (1)与栅-源短路条件下小信号输出电容Coss的关系：Coss=Cds+Cgd (2)与小信号反向转换电容（反馈电容）Crss的关系：Crss=Cgd (3)驱动电路的任务就是针对MOSFET管开通、关断过程中的寄生电容进行充放电。需要说明的是，内部电容并非常数，会随着开通、关断过程中极间电压的变化而变化，使得开通、关断的动态过程比较复杂[3]，但是，对于栅极驱动，主要考虑上升、下降时间内（短于整个动态过程时间）的驱动波形，可以把Ciss看做常数进行分析。2.2 MOSFET管变压器驱动栅极电路图2为变压器驱动栅极电路，是驱动电路的最后部分。变压器T1提供驱动信号，经由保护二极管D1、栅极串联电阻R1向栅极输入电容Ciss充电，当栅-源极间电压Vgs大于门限开启电压VTh，MOSFET管导通，进而进入饱和区，完成开通过程；当变压器驱动信号低电平时，三极管Q1导通，栅极电容的电荷迅速通过R1，Q1构成的闭合回路释放，达到快速关断的目的。电阻R3防止栅极开路，稳压管D2限制信号幅度不能超过栅-源击穿电压，起到保护作用。3 变压器设计与试验为了简化计算，将变压器视为方波脉冲电压源，MOSFET管开通过程的等效电路如图3。开通过程就是零状态响应过程，三要素[4,5]：初始值uciss(0)=0 (4)由于R3R1，稳态值； (5)式中，U1—变压器输出电压，V时间常数τ=(R1//R2)×Ciss≈R1Ciss； (6)暂态过程：栅极电压： (7)栅极电流： (8)栅极电阻R3电流：i1(t)≈0 (9)栅极串联电阻R1电流： (10)电路瞬时功率： (11)上升时间：tr=2.2τ=2.2R1Ciss (12)忽略三极管Q1饱和导通管压降0.2V，MOSFET管关断过程的等效电路如图4。关断过程即可看作零输入响应过程，栅极电压U1，主要元件依然是R1，Ciss（由于R3R1,忽略电阻R3），基本是开通的逆过程，因此，变压器输出电流有效值[4]： (13)式中，I—变压器输出电流有效值，A；f—驱动信号频率，Hz变压器功率： (14)通过分析，由式(12)可知，减少上升时间tr的办法是减少R1，但式(13)(14)表明，代价是增大了输出电流有效值和变压器功率；提高频率和驱动电压将导致电流有效值和变压器功率增加。线路分布参数包括变压器漏感，内阻r，以及导线引起的寄生电感等，随着工作频率提高，分布参数影响逐渐明显。相对于内阻r，分布电感对动特性影响更为显著，考虑变压器漏感和线路杂散电感Ls后MOSFET管开通过程的等效电路如图5（忽略电阻R3）。系统时域方程： (15)传递函数： (16)特征方程：LsCiss·S?2+R1Ciss·s+1=0 (17)特征方程根：（极点） (18)由式(18)，对于阶跃输入[5]1) 时，系统临界振荡。此时， (19)2) 时，系统振荡收敛。此时， (20)此时，自然频率（无阻尼震荡频率）： (21)阻尼比：