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光刻工艺步骤介绍 光刻工艺流程 涂胶工艺介绍 具体过程： 1）增粘处理 2）涂胶 3）涂胶后烘 增粘处理（化学气相涂布） 1 化学品： HMDS液（六甲基二硅亚胺） 2.目的： 由于圆片表面是亲水的，而光刻胶具有疏水性如果不进行增粘处理直接涂胶并后烘，就会有水存在于圆片和胶分界处，导致光刻胶在圆片表面的粘附性变差。增粘处理可以增加圆片表面对光刻胶的粘附性，对保持光刻图形完整性，稳定性以及光刻胶对刻蚀和注入工艺的屏蔽都有很重要的作用。 3.过程 高温气化后的HMDS与圆片同处一腔经过一段时间作用完成。 涂胶 化学品 光刻胶 由具有感光性高分子聚合物、增粘剂、溶剂以及其它添加剂组成。 稀释剂（EBR-10A） 喷胶方式 动态 喷胶时圆片旋转，胶膜均匀性较好但粘附性稍差。 静态 喷胶时圆片静止，胶膜粘附性较好但均匀性稍差。 涂胶后烘 目的： 提高光刻胶与衬底（圆片）的粘附力及胶膜的抗机械磨擦能力。 作用： 充分的前烘可以改善胶膜的粘附性与抗刻蚀性。 方式： 烘箱对流加热 红外线辐射加热 热板传导加热 影响胶膜因素： 一 涂胶腔排风量的大小直接影响着胶膜的均匀性； 二 硅片吸盘的水平度、同心度以及真空度都会影响胶膜的均匀性； 三 胶盘的形状应能有效的防止光刻胶在高速旋转时出现的“回溅”； 四 涂胶的工作环境，如湿度、温度、洁净度等均会影响胶膜的质量。 曝光工艺介绍 曝光工艺介绍 预对位对位： 预对位 待曝光的圆片均匀旋转时，首先通过NIKON机传感器找平边，其次使圆片在光刻机有固定且唯一的位置，便于对位曝光。 显影工艺介绍 基本原理： 显影就是用显影液去除已曝光部分的光刻胶，在硅片上形成所需图形的过程。曝光部分的光刻胶与显影液作用并溶解于水，未曝光部分不与显影液作用并保持原状。显影液为碱性溶液，与光刻胶是一一对应的。 显影方式 显影方式 静态浸渍显影 圆片静止显影液喷在圆片表面，依靠圆片表面张力使显影液停留在圆片上，圆片轻轻的转动，让显影液在圆片表面充分浸润，一段时间后，高速旋转将显影液甩掉。如：SVG、DNS、TEL设备。 旋转喷雾显影 圆片旋转由高压氮气将流经喷嘴的显影液打成微小的液珠喷射在圆片表面，数秒钟显影液就能均匀地覆盖在整个圆片表面。如：以前5寸SVG设备。 影响显影质量因素 显影时间 影响条宽控制精度 显影液的温度 影响显影的速率 显影后烘（坚膜） 后烘目的 去除显影后胶内残留溶剂，适当的后烘可以提高光刻胶粘附性和抗刻蚀能力 后烘方式 烘箱对流加热 红外线辐射加热 热板传导加热 注意事项 进行涂胶显影工艺时，均不允许取消程序同时不要随意更改菜单。曝光时不要随意更改程序；套用程序；如出现程序与光刻版号不符，均将圆片作暂停处理。 显检 目的 保证光刻图形质量，监控光刻胶形貌，同时还可以看出设备工作是否正常，作业人员是否按标准操作文件进行作业。 检查标记： Box-In-Box；9-DOTS；旋转游标；对位游标；Dagger标记等 条宽测量 条宽测量就是为了监控光刻条宽。条宽是光刻控制的重点，一般所说的某产品是几微米的产品（即流程单的标题），就是指该产品栅（POLY）光刻所控制的条宽，该条宽一般而言是该产品最小的条宽。 在线流片相关知识介绍 流程单右上角的6S06SPSM OR DPDM 6：6inch S：Si-gate 06：0.6um（如果是0.8um就是08） SPSM：单多晶单铝 SPDM：单多晶双铝 DPSM：双多晶单铝 DPDM：双多晶双铝 LVMG：低压铝栅 HVMG：高压铝栅 流程单上的批号： 如：XXXXXXXX.1 SPC： STATISTICAL PROCESS CONTROL（统计过程控制） * * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 综述 一光刻工艺流程介绍 1 涂胶工艺介绍 2 曝光工艺介绍 3 显影工艺介绍 4 显检图形介绍 5 条宽套刻测量 二在线流片相关知识介绍 Evaluation only. C