TSUPREM4使用介绍.ppt

15... COMMENT Ramp the drain 16... SOLVE V(Drain)=0.0 ELEC=Drain VSTEP=.2 NSTEP=15 17... COMMENT Plot Ids vs. Vds 18... PLOT.1D Y.AXIS=I(Drain) X.AXIS=V(Drain) POINTS + COLOR=2 TITLE=“Example 1D - Drain Characteristics” 19 ... LABEL=“Vgs = 3.0v” X=2.4 Y=0.1E-4 第*页/共128页 第*页/共128页 漏特性仿真图 20... COMMENT Potential contour plot using recent solution 21... PLOT.2D BOUND JUNC DEPL FILL SCALE + TITLE=“Example 1D - Potential Contours” （DEPL：耗尽结的边缘，JUNC：冶金结的边缘） 22... CONTOUR POTENTIA MIN=-1 MAX=4 DEL=.25 COLOR=6 23... LABEL LABEL=“Vgs = 3.0v” X=0.2 Y=1.6 24... LABEL LABEL=“Vds = 3.0v” 第*页/共128页 第*页/共128页 电势分布图 用T4仿真出一个NMOS。器件长度定为12um，有源区光刻位置为1-11um。栅光刻位置为3.5um-8.5um。 1、采用晶向为[100]的P型硅作为衬底，电阻率为100Ω?cm. 2、注入硼。Φ=2.5e12/cm2,E=50KeV,做衬底调制。 3、隔离退火。退火时间：T=1100℃，t=20′。漂净SiO2。 4、有源区光刻。长场氧，T=1000℃，t=120′，湿氧。去胶。 5、栅氧化。Dox=0.065uM。T=11600C,t=15′干氧，3%HCl。 6、淀积多晶硅。Dox=0.5um。 7、多晶硅注入磷。Φ=6.5e16/CM2, E=30KeV。 8、栅光刻。匀胶、显影、刻蚀、去胶。 9、源、漏注入.Φ=5e15/CM2, E=80KeV。去胶。 10、退火。T=9500C, t=20′O2。 11、PSG。引线孔光刻。 12、溅铝。D=2um。 13、铝光刻。 作业要求：用不同颜色表示Si，Poly，SiO2与Al。并在结构图中绘制出磷的等浓度线,浓度范围从1e16-1e19/cm3. T4 作业要求 第*页/共128页 T4→MEDICI的转换 T4仿真最后保存结构的时候应写为如下格式： SAVEFILE OUT.FILE=xx.tif tif(xx为想要保存的文件名) MEDICI文件中的第一行有效指令应为： MESH IN.FILE=xx.tif tif(xx即为T4中保存的文件名，这个指令读入了T4仿真后输出的结构) 第*页/共128页 T4MEDICI 的使用 登陆 PC机运行vncviewer 登陆到36:2 输入命令： source /opt/demo/synopsys.env 运行T4 tsuprem4 〈文件名〉 运行MEDICI md20000〈文件名〉或 md60000〈文件名〉 第*页/共128页 第*页/共128页 $ Define the grid MESH LY.ACTIV=6 LY.BOT=6 GRID.FAC=1.5 $ Initialize the structure INITIALIZE WIDTH=12 100 IMPURITY=PHOSPHOR I.RESIST=100 $ Sub modulation IMPLANT PHOSPHOR DOSE=2.5e12 ENERGY=50 TILT=7 ROTATION=30 DIFFUSION TIME=20 TEMP=1100 ETCH OXIDE $ Photo DEPOSIT PHOTORESIST POSITIVE THICKNESS=1 ETCH PHOTORESIST LEFT P1.X=1.0 ETCH PHOTORESIST RIGHT P1.X=11.0 PMOS工艺仿真（T4）实例 第*页/共128页 $ Field oxidation METHOD PD.TRANS COMPRESS DIFFUSION TIME=100 TEMP=1000 WETO2 ETCH PHOTORESIST ALL SELECT Z=LOG10(BORON) TITLE=after field oxide PLO