电力电子技术期末复习答案..doc

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为____，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为____。3.电力电子器件组成的系统，一般由____、__、 __三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加___。4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为__ 、 __ 、__三类。5.电力二极管的工作特性可概括为__。6.电力二极管的主要类型有__、__、 __。 7.肖特基二极管的开关损耗__快恢复二极管的开关损耗。8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向有触发则导通、反向截止__ 。9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL____IH 。10.晶闸管断态不重复电压UDM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDM_大于__Ubo。11.逆导晶闸管是将__与晶闸管__（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。12.GTO的____结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。1.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的____、前者的非饱和区对应后者的___。1.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。1.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而__，开关速度____电力MOSFET 。1.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为__和__两类。.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有_____温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有_____温度系数。.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO GTR 、电力MOSFET IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管晶闸管GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管GTO 、GTR _。第2章 整流电路1.电阻负载的特点是__，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__。　　2.阻感负载的特点是_，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。　　3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__ _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_ _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个__。　　4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角?时，晶闸管的导通角??=_πα-?_; 当控制角?小于不导电角???时，晶闸管的导通角???=_π?_。.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于___，晶闸管控制角α的最大移相范围是__，使负载电流连续的条件为____(U2为相电压有效值)。　　.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_ _，当它带阻感负载时，?的移相范围为__ _。　　.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是___的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是__的相电压；这种电路???角的移相范围是_ _，ud波形连续条件是__。.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值___。　　.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为___，随负载加重Ud逐渐趋近于_ U2_，通常设计时，应取RC≥__T，此时输出电压为Ud≈___U2(U2为相电压有效值)。　　1.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是__，电路中的二极管承受的最大反向电压为__U2。　　1.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当???从0°～90°变化时，整流输出的电压ud的谐波幅值随???的增大而